[實用新型]一種高發(fā)光效率的GaN基LED芯片有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320409751.X | 申請日： | 2013-07-09 |
| 公開（公告）號： | CN203406317U | 公開（公告）日： | 2014-01-22 |
| 發(fā)明（設計）人： | 羅東;李辛;楊艷敏;董前民;黃杰;梁培 | 申請（專利權）人： | 中國計量學院 |
| 主分類號： | H01L33/06 | 分類號： | H01L33/06 |
| 代理公司： | 暫無信息 | 代理人： | 暫無信息 |
| 地址： | 310018 浙江*** | 國省代碼： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 一種 發(fā)光 效率 gan led 芯片 | ||
【權利要求書】：
1.一種高發(fā)光效率的GaN基LED芯片，由異質襯底層、n-GaN層、量子阱層、p-GaN層和金屬納米粒子層組成；其特征在于，n-GaN層、量子阱層和p-GaN層構成核心芯片，核心芯片位于異質襯底層上，核心芯片最底層為n-GaN層，n-GaN層上為量子阱層，量子阱層上為由金屬納米粒子層和p-GaN層組成的復合層。?
2.根據(jù)權利要求1所述的一種高發(fā)光效率的GaN基LED芯片，其特征在于：所述的復合層中，金屬納米粒子層位于p-GaN層上表面或嵌入在p-GaN層中。?
3.根據(jù)權利要求1所述的一種高發(fā)光效率的GaN基LED芯片，其特征在于：所述的金屬納米粒子粒徑為10nm-150nm，金屬納米粒子層厚度為50nm-1μm。?
4.根據(jù)權利要求1所述的一種高發(fā)光效率的GaN基LED芯片，其特征在于：所述的n-GaN層的厚度為2μm-4μm。?
5.根據(jù)權利要求1所述的一種高發(fā)光效率的GaN基LED芯片，其特征在于：所述的核心芯片的厚度為6μm-10μm。?
6.根據(jù)權利要求1所述的一種高發(fā)光效率的GaN基LED芯片，其特征在于：所述的異質襯底層的材料為藍寶石、硅、SiC或金屬。?
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