[實用新型]新型托瓦架有效
| 申請號: | 201320398381.4 | 申請日: | 2013-07-04 |
| 公開(公告)號: | CN203325874U | 公開(公告)日: | 2013-12-04 |
| 發明(設計)人: | 武鑫華;裘立強;王毅 | 申請(專利權)人: | 揚州杰利半導體有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/687 | 分類號: | H01L21/687 |
| 代理公司: | 南京縱橫知識產權代理有限公司 32224 | 代理人: | 周全 |
| 地址: | 225008 江蘇*** | 國省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 新型 托瓦架 | ||
技術領域
本實用新型涉及托瓦架結構的改進。?
背景技術
目前,在二極管的加工制造過程中,擴散后的晶片的出爐溫度都在200℃左右,由于晶片和石英舟(石英玻璃)或鐵氟龍舟(聚四氟乙烯)的溫度極高,如圖3所示,操作人員在工作時極易被高溫燙傷、且晶片進行二次降溫時安全隱患也極大;因此,很難同時保證避免人員被燙傷和晶片的完好性。這樣,在半導體市場的競爭日益白熱化的今天,如何使得企業擁有高效的生產效率、且保證二極管的產品質量,同時在操作時可有效降低操作人員安全隱患成為本領域技術人員亟待解決的技術問題。?
實用新型內容
本實用新型針對以上問題,提供了一種結構簡單、操作方便、生產效率高且加工效果好,同時可有效降低操作時安全隱患的新型托瓦架。?
本實用新型的技術方案是:包括托瓦管,還包括托瓦座和托瓦臺,所述托瓦座包括一對對稱的承托板;?
一對所述承托板的底面固定連接在所述托瓦臺的頂面上、且頂部向外側張開,所述承托板與所述托瓦臺的頂面呈50~80°角,使得所述托瓦管架設在一對所述承托板之間。
一對所述承托板朝向所述托瓦管的側壁為粗糙面。?
所述承托板的頂面呈弧形,所述弧形與所述托瓦管的底面適配。?
所述新型托瓦架還包括固定連接在托瓦臺底部的若干支腳。?
所述支腳為伸縮桿。?
本實用新型可通過增設的托瓦座和托瓦臺對托瓦管進行有效的承托和進一步散熱,同時,由于此處的托瓦座和托瓦臺由金屬材料制得,而托瓦管由石英制得,使得本實用新型在對晶片進行散熱時,由于金屬的熱膨脹系數通常大于石英的熱膨脹系數,因此,散熱初期,托瓦管將順著一對承托板的側壁下滑,從而始終保持對托瓦管進行穩定的夾持與承托,具有承托強度高、散熱效果好等優勢。結合上述兩點,使得本實用新型可在對晶片進行有效承托和高效散熱的同時,也可避免人員被燙傷,大幅提升了其安全系數。?
附圖說明
圖1是本實用新型的結構示意圖,?
圖2是圖1的立體圖,
圖3是本實用新型中背景技術的結構示意圖;
圖中1是托瓦管,2是托瓦座,20是承托板,3是托瓦臺,4是支腳。
具體實施方式
本實用新型如圖1-3所示,包括由石英制得的托瓦管1,還包括由金屬制得的托瓦座2和托瓦臺3,所述托瓦座2包括一對對稱的承托板20;?
所述承托板20的底面固定連接在所述托瓦臺3的頂面上、且頂部向外側張開,所述承托板與所述托瓦臺3呈50~80°角;使得所述托瓦管1架設在一對所述承托板20之間。使得本實用新型在對晶片進行散熱時,由于金屬的熱膨脹系數通常大于石英的熱膨脹系數,因此,散熱初期,托瓦管將順著一對承托板的側壁下滑,從而始終保持對托瓦管進行穩定的夾持與承托。這樣,可通過增設的托瓦座2中一對對稱的承托板20的頂面對托瓦管1進行有效的承托和進一步散熱,同時,由于此處的托瓦座和托瓦臺3由金屬材料制得,使其具有承托強度高、散熱效果好等優勢。結合上述兩點,使得本實用新型可在對晶片進行有效承托和高效散熱的同時,也可避免人員被燙傷,大幅提升了其安全系數。
一對所述承托板朝向所述托瓦管的側壁為粗糙面。從而增大托瓦管底面與一對承托板側壁之間的摩擦力。?
所述承托板的頂面呈弧形,所述弧形與所述托瓦管的底面適配。使得一對承托板可對托瓦管形成全面包絡式承托。?
所述新型托瓦架還包括固定連接在托瓦臺3底部的若干支腳4。使得本實用新型可通過若干支腳4穩定的放置在各種加工環境中。?
所述支腳4為伸縮桿。使得支腳4的高度可調,從而使得操作人員可根據加工環境的不同,對托瓦臺的放置角度或高度做出適應性調整。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





