[實(shí)用新型]一種低成本RFID標(biāo)簽芯片

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320371686.6
• 申請(qǐng)日: 2013-06-26
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203386226U
• 公開(kāi)（公告）日: 2014-01-08
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 辛柯俊;吳濤;吳劍;李鋼;鄒濤
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 南京三寶科技股份有限公司
• 主分類號(hào): G06K19/077
• 分類號(hào): G06K19/077
• 代理公司: 江蘇圣典律師事務(wù)所 32237
• 代理人: 賀翔

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種低成本的RFID標(biāo)簽芯片。

背景技術(shù)

RFID（Radio?Frequency?Identification，無(wú)線射頻識(shí)別）技術(shù)的應(yīng)用日益廣泛，根據(jù)不同的應(yīng)用領(lǐng)域和實(shí)際環(huán)境的需要，對(duì)射頻識(shí)別電子標(biāo)簽本身也提出了很多具體的要求。在防偽應(yīng)用中，一般需要標(biāo)簽具有唯一性、穩(wěn)定性、安全使用時(shí)間和被仿制難度等要求。電子標(biāo)簽可具有全球唯一的編碼，而且唯一編碼可不被更改。用電子標(biāo)簽進(jìn)行防偽，具有被仿制難度高、被仿制成本高、被仿制時(shí)間長(zhǎng)等特點(diǎn)，是防偽應(yīng)用的優(yōu)良載體。

目前常用的RFID電子標(biāo)簽包括低頻（LF）電子標(biāo)簽、高頻（HF）電子標(biāo)簽和超高頻（UHF）電子標(biāo)簽等。由于頻率低，低頻電子標(biāo)簽需要在鐵芯上繞很多細(xì)細(xì)的線圈才能使標(biāo)簽諧振于工作頻率，使得標(biāo)簽的成本較高；高頻電子標(biāo)簽的工作頻率提高了，使標(biāo)簽諧振于工作頻率所需要的標(biāo)簽天線圈數(shù)大大減少了，可以采用鋁蝕刻技術(shù)來(lái)加工標(biāo)簽，不過(guò)由于單面線圈如果焊接芯片的話將造成線圈的短路，所以只能采用雙面鋁蝕刻技術(shù)，標(biāo)簽的加工成本還是較高。超高頻電子標(biāo)簽由于其工作頻率相對(duì)較高，其標(biāo)簽已經(jīng)可以采用單面天線來(lái)實(shí)現(xiàn)，成本已經(jīng)大大低于前兩種電子標(biāo)簽，但是與傳統(tǒng)的印刷防偽相比，電子標(biāo)簽的價(jià)格還是偏高，極大地制約了電子標(biāo)簽的應(yīng)用。

電子標(biāo)簽的價(jià)格主要由三部分組成，包括：標(biāo)簽天線、標(biāo)簽芯片和芯片綁定。對(duì)于超高頻電子標(biāo)簽，天線價(jià)格已經(jīng)在幾分錢(qián)的量級(jí)，其下降空間很有限，芯片綁定的價(jià)格也已趨于穩(wěn)定，只有標(biāo)簽芯片本身的價(jià)格還有下降的空間。

發(fā)明內(nèi)容

發(fā)明目的：針對(duì)上述現(xiàn)有技術(shù)，提出一種適用于防偽應(yīng)用的低成本RFID標(biāo)簽芯片。

技術(shù)方案：一種低成本RFID標(biāo)簽芯片，包括依次連接射頻模擬前端單元、邏輯控制單元、存儲(chǔ)單元；所述射頻模擬前端單元包括分別連接所述邏輯控制單元的供電模塊、阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)模塊、解調(diào)模塊以及調(diào)制模塊；其中，所述存儲(chǔ)單元采用一次可編程存儲(chǔ)器。

作為本實(shí)用新型的優(yōu)選方案，所述阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)模塊采用L型匹配電路，包括第一電容、第二電容、第一PMOS開(kāi)關(guān)管、第二PMOS開(kāi)關(guān)管；所述第一電容、第二電容并聯(lián)在RFID標(biāo)簽天線與地之間；所述第一PMOS開(kāi)關(guān)管和第二PMOS開(kāi)關(guān)管的柵極連接到所述供電模塊，第一PMOS開(kāi)關(guān)管和第二PMOS開(kāi)關(guān)管的漏極連接到RFID標(biāo)簽天線的信號(hào)饋入端，第一PMOS開(kāi)關(guān)管和第二PMOS開(kāi)關(guān)管的源極接地。

有益效果：本實(shí)用新型的一種低成本RFID標(biāo)簽芯片中射頻模擬前端單元采用L型匹配電路，簡(jiǎn)化了芯片的功能、降低了標(biāo)簽芯片的復(fù)雜度。同時(shí)存儲(chǔ)單元采用一次可編程存儲(chǔ)器降低了制作工藝難度，從而達(dá)到降低成本的目的。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型標(biāo)簽芯片的結(jié)構(gòu)示意圖；

圖2是阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)模塊結(jié)構(gòu)圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖對(duì)本實(shí)用新型做更進(jìn)一步的解釋。

如圖1所示，一種低成本RFID標(biāo)簽芯片，包括依次連接射頻模擬前端單元、邏輯控制單元、存儲(chǔ)單元。射頻模擬前端單元包括分別連接邏輯控制單元的供電模塊、阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)模塊、解調(diào)模塊以及調(diào)制模塊。其中，存儲(chǔ)單元采用一次可編程存儲(chǔ)器。

阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)模塊采用L型匹配電路，包括第一電容、第二電容、第一PMOS開(kāi)關(guān)管、第二PMOS開(kāi)關(guān)管。第一電容、第二電容并聯(lián)在RFID標(biāo)簽天線與地之間。第一PMOS開(kāi)關(guān)管和第二PMOS開(kāi)關(guān)管的柵極連接到供電模塊，第一PMOS開(kāi)關(guān)管和第二PMOS開(kāi)關(guān)管的漏極連接到RFID標(biāo)簽天線的信號(hào)饋入端，第一PMOS開(kāi)關(guān)管和第二PMOS開(kāi)關(guān)管的源極接地。

工作原理如下：當(dāng)本實(shí)用新型的PFID標(biāo)簽處在閱讀器的電磁場(chǎng)范圍內(nèi)時(shí)，無(wú)源電子標(biāo)簽通過(guò)電磁場(chǎng)耦合獲得能量，利用供電模塊將交流轉(zhuǎn)變?yōu)橹绷鳎瑢?duì)內(nèi)部其他模塊進(jìn)行供電。標(biāo)簽芯片通過(guò)解調(diào)模塊從射頻脈沖中解調(diào)出指令和數(shù)據(jù)，并送至邏輯控制單元。邏輯控制單元根據(jù)接收到的指令進(jìn)行一系列數(shù)據(jù)操作。標(biāo)簽通過(guò)控制天線接口的L型匹配電路，從而改變天線接口的反射系數(shù)來(lái)對(duì)數(shù)據(jù)信號(hào)進(jìn)行調(diào)制。

如圖2所述，阻抗匹配網(wǎng)絡(luò)由CCM電容和開(kāi)關(guān)K1兩部分組成。為了保證兩個(gè)天線引腳間電路的對(duì)稱，采用兩個(gè)電容并聯(lián)的形式。K1由兩個(gè)PMOS開(kāi)關(guān)管組成，PMOS由基帶信號(hào)經(jīng)過(guò)供電模塊后驅(qū)動(dòng)，因此PMOS的柵極可以獲得更高的柵壓，保證關(guān)斷狀態(tài)可靠截止。