[實(shí)用新型]液晶陣列基板

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320353214.8
• 申請(qǐng)日: 2013-06-19
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203337967U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-12-11
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 姚曉慧;許哲豪
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 深圳市華星光電技術(shù)有限公司
• 主分類號(hào): G02F1/1362
• 分類號(hào): G02F1/1362;G02F1/133;G09G3/36
• 代理公司: 廣東廣和律師事務(wù)所 44298
• 代理人: 劉敏

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及一種基板，特別涉及一種液晶陣列基板。

背景技術(shù)

目前，液晶電視、液晶顯示器等液晶電子裝置越來(lái)越普遍。一般的液晶電子裝置均具有多角度的顯示模式，在多角度的顯示模式下，由于在不同視角西觀察到的液晶分子的指向不同，會(huì)導(dǎo)致大視角下觀察到的顏色失真。目前，為了改善大視角的顏色失身，在液晶分子像素設(shè)計(jì)時(shí)，會(huì)將一個(gè)像素分為兩個(gè)部分，一部分為主(main)區(qū)，另一部分為子(sub)區(qū)。通過(guò)控制該兩個(gè)區(qū)的電壓來(lái)改善大視角失真。其中，該分為主區(qū)以及子區(qū)的設(shè)計(jì)一般稱為L(zhǎng)CS(Low?Color?Shift，低色彩偏移)設(shè)計(jì)。

相應(yīng)地，為了保證液晶電子裝置的質(zhì)量，對(duì)其制造過(guò)程中的檢測(cè)是必不可少的。為提高良率和降低成本，在液晶陣列基板制造完成后，會(huì)對(duì)其進(jìn)行電性測(cè)試，而對(duì)于有LCS設(shè)計(jì)的像素，常規(guī)手法很難檢測(cè)出主區(qū)以及子區(qū)的像素短路即不合格，而容易導(dǎo)致面板降等甚至報(bào)廢。

實(shí)用新型內(nèi)容

本實(shí)用新型提供一種液晶陣列基板，能夠較易地檢測(cè)該液晶陣列基板是否合格。

一種液晶陣列基板，包括多個(gè)像素區(qū)域，該像素區(qū)域包括主區(qū)、子區(qū)以及一調(diào)控TFT晶體管，該調(diào)控TFT晶體管用于調(diào)控主區(qū)與子區(qū)的電壓比而實(shí)現(xiàn)低色彩偏移，其中，主區(qū)包括第一TFT晶體管以及主區(qū)陣列電路公共電極走線，子區(qū)包括第二TFT晶體管以及子區(qū)陣列電路公共電極走線，其中，該主區(qū)陣列電路公共電極走線以及子區(qū)陣列電路公共電極走線相互電隔離；其中，該第一TFT晶體管的柵極與第一掃描線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與像素電極連接且與主區(qū)陣列電路公共電極走線耦接；該第二TFT晶體管的柵極與第一掃描線連接，源極與數(shù)據(jù)線連接，漏極與像素電極連接且與子區(qū)陣列電路公共電極走線耦接；該調(diào)控TFT晶體管的源極與第一TFT晶體管的漏極耦接，漏極與該第二TFT晶體管的漏極電連接，該調(diào)控TFT晶體管的柵極與第二掃描線連接。

其中，該液晶陣列基板的所有像素區(qū)域中的主區(qū)陣列電路公共電極走線均與一主區(qū)導(dǎo)電片連接。

其中，所有像素區(qū)域中的子區(qū)陣列電路公共電極走線均與一子區(qū)導(dǎo)電片連接。

其中，該第一掃描線用于產(chǎn)生開(kāi)啟或關(guān)閉信號(hào)控制該第一TFT晶體管導(dǎo)通或關(guān)閉。

其中，該數(shù)據(jù)線用于在第一TFT晶體管導(dǎo)通時(shí)輸入數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而控制主區(qū)的顯示。

其中，該第一掃描線用于產(chǎn)生開(kāi)啟或關(guān)閉信號(hào)控制該第二TFT晶體管導(dǎo)通或關(guān)閉。

其中，該數(shù)據(jù)線用于在第二TFT晶體管導(dǎo)通時(shí)輸入數(shù)據(jù)驅(qū)動(dòng)信號(hào)，而控制子區(qū)的顯示。

本實(shí)用新型的液晶陣列基板，通過(guò)將主區(qū)陣列電路公共電極走線以及子區(qū)陣列電路公共電極走線相互電隔離，能夠較易地檢測(cè)出該液晶陣列基板是否合格。

附圖說(shuō)明

圖1是本實(shí)用新型一實(shí)施方式中的液晶陣列基板的示意圖。

圖2是本實(shí)用新型一實(shí)施方式中的液晶陣列基板中的一個(gè)像素區(qū)域的具體示意圖。

圖3是本實(shí)用新型一實(shí)施方式中液晶陣列基板的檢測(cè)方法的流程圖。

具體實(shí)施方式

請(qǐng)一并參閱圖1及圖2，圖1為本實(shí)用新型一實(shí)施方式中液晶陣列基板100的示意圖，圖2為液晶陣列基板100包括的一像素區(qū)域1的具體示意圖。在本實(shí)用新型中，該液晶陣列基板100為低色偏設(shè)計(jì)的液晶陣列基板。該液晶陣列基板100包括多個(gè)呈陣列分布的像素區(qū)域1，該像素區(qū)域1包括主區(qū)11、子區(qū)12以及調(diào)控TFT晶體管T。其中，主區(qū)11包括第一TFT(thin?film?transistor，薄膜晶體管)晶體管T1以及主區(qū)陣列電路公共電極走線Main-Acom。子區(qū)包括第二TFT晶體管T2以及子區(qū)陣列電路公共電極走線Sub-Acom。其中，該調(diào)控TFT晶體管T用于調(diào)控主區(qū)11與子區(qū)12的電壓比，而實(shí)現(xiàn)液晶陣列基板100的低色彩偏移設(shè)計(jì)。

其中，每一像素區(qū)域1中的該第一TFT晶體管T1以及第二TFT晶體管T2的柵極均與第一掃描線111連接。該第一TFT晶體管T1以及第二TFT晶體管T2的源極均與數(shù)據(jù)線222連接。該第一TFT晶體管T1的漏極與主區(qū)陣列電路公共電極走線Main-Acom耦接，該第二TFT晶體管T2的漏極與子區(qū)陣列電路公共電極走線Sub-Acom耦接。其中，該第一TFT晶體管T1的漏極還與對(duì)應(yīng)的像素電極P連接，該第二TFT晶體管T2的漏極同樣還與對(duì)應(yīng)的像素電極P電連接。