[實(shí)用新型]電除塵器用高頻高壓電源裝置

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320335751.X
• 申請(qǐng)日: 2013-06-09
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203301388U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-20
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 嚴(yán)帥;張軍強(qiáng);石妍;楊雷
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 中國(guó)能建集團(tuán)裝備有限公司北京技術(shù)中心
• 主分類(lèi)號(hào): H02M7/04
• 分類(lèi)號(hào): H02M7/04;H02M5/458;H02M5/10
• 代理公司: 北京五洲洋和知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理事務(wù)所(普通合伙) 11387
• 代理人: 劉春成;張向琨

技術(shù)領(lǐng)域

本實(shí)用新型涉及電除塵器及電源技術(shù)領(lǐng)域，尤其是涉及一種電除塵器用高頻高壓電源裝置。

背景技術(shù)

電除塵器（Electrostatic?precipitator，簡(jiǎn)稱ESP）基本原理為：含煙氣體通過(guò)高壓靜電場(chǎng)，在電場(chǎng)中粉塵被收集，達(dá)到煙氣凈化的目的。為建立高壓靜電場(chǎng)，需要高壓直流電源。

電除塵器配套電源大多采用工頻可控硅電源和高頻高壓電源。工頻可控硅電源因?yàn)楣ぷ黝l率低，變壓器體積龐大，重量重，損耗高，功率因數(shù)低，已經(jīng)不能滿足目前節(jié)能減排的要求。高頻高壓電源將絕緣柵雙極型晶體管(Insulated?Gate?Bipolar?Transistor，簡(jiǎn)稱IGBT)等逆變裝置產(chǎn)生的20kHz-50kHz及以上的高頻脈沖，通過(guò)高頻升壓變壓器升壓整流成高壓直流電源后，提供給電除塵器電場(chǎng)。相比工頻可控硅電源，高頻高壓電源具有工作頻率高、體積小、直流波形好、高效節(jié)能等優(yōu)點(diǎn)，已經(jīng)得到了廣泛的應(yīng)用。

但是，現(xiàn)有的高頻高壓電源使用不可控或可控硅整流，在更大功率等級(jí)ESP中使用仍然對(duì)電網(wǎng)有較大的諧波污染。此外，由于高頻升壓變壓器分布參數(shù)的影響，系統(tǒng)控制復(fù)雜、效率低、發(fā)熱大、運(yùn)行不穩(wěn)定。再有，高頻升壓變壓器中的電感參數(shù)抑制電流脈沖陡度的提高，限制高壓直流電場(chǎng)吸附更小微粒的能力，使得目前的電除塵器仍然不能夠完全滿足諸多應(yīng)用領(lǐng)域?qū)τ诔龎m的高性能要求。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)用新型的目的在于提供一種電除塵器用高頻高壓電源裝置，以解決現(xiàn)有技術(shù)存在的諧波污染較大、運(yùn)行不穩(wěn)定以及性能有待進(jìn)一步提高的問(wèn)題。

為了解決上述問(wèn)題，本實(shí)用新型提供一種電除塵器用高頻高壓電源裝置，其包括：三相LC濾波電路，用于外部三相進(jìn)線電路的接入以及進(jìn)行LC濾波；三相半橋IGBT整流電路，與所述三相LC濾波電路的輸出端連接，用于輸出可變直流電壓；三相半橋IGBT整流電路驅(qū)動(dòng)電路，與所述三相半橋IGBT整流電路的控制端連接，用于輸出所述三相半橋IGBT整流電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；H橋IGBT高頻逆變電路，與所述三相半橋IGBT整流電路的輸出端連接，用于將輸入的低壓直流電逆變成低壓高頻交流電；H橋IGBT高頻逆變電路驅(qū)動(dòng)電路，與所述H橋IGBT高頻逆變電路的控制端連接，用于輸出所述H橋IGBT高頻逆變電路的驅(qū)動(dòng)信號(hào)；控制器；與所述三相半橋IGBT整流電路驅(qū)動(dòng)電路和所述H橋IGBT高頻逆變電路驅(qū)動(dòng)電路連接，用于輸出控制信號(hào)；高頻升壓變壓器，與所述H橋IGBT高頻逆變電路的輸出端連接，用于把初級(jí)線圈輸入的低壓高頻交流電轉(zhuǎn)換成次級(jí)線圈輸出的高壓高頻交流電；高壓硅整流電路，與所述高頻升壓變壓器的輸出端連接，用于將高頻高壓交流電轉(zhuǎn)換成為高壓直流電。

優(yōu)選地，還包括：直流環(huán)節(jié)電路，連接于所述三相半橋IGBT整流電路的輸出端和所述H橋IGBT高頻逆變電路的輸入端之間，用于能量傳遞和直流過(guò)電壓保護(hù)。

優(yōu)選地，所述控制器為包括DSP和FPGA的雙核控制器。

優(yōu)選地，所述控制器與所述三相半橋IGBT整流電路驅(qū)動(dòng)電路和所述H橋IGBT高頻逆變電路驅(qū)動(dòng)電路之間通過(guò)光纖連接。

優(yōu)選地，所述三相半橋IGBT整流電路配置有風(fēng)冷銅或鋁散熱器，以用于散熱。

優(yōu)選地，所述直流環(huán)節(jié)電路包括并聯(lián)的直流穩(wěn)壓電容和斬波制動(dòng)電阻；所述直流穩(wěn)壓電容用于動(dòng)態(tài)提供電流輸出；所述斬波制動(dòng)電阻用于直流環(huán)節(jié)過(guò)電壓保護(hù)。

優(yōu)選地，所述高頻升壓變壓器的鐵芯為超微晶材料制成。

優(yōu)選地，所述控制器包括底板、控制板、接口板、通訊板及電源板；所述控制板、接口板、通訊板、電源板以插槽方式安裝在所述底板上。

在本實(shí)用新型中，三相半橋IGBT整流電路及三相LC濾波電路，對(duì)電網(wǎng)諧波污染小，功率因數(shù)高；且直流環(huán)節(jié)母線電壓可調(diào)節(jié)，電壓波動(dòng)小，H橋IGBT逆變電路輸出電流波形更陡，除塵效果好。

附圖說(shuō)明

圖1為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的原理框圖及局部詳細(xì)電路圖；

圖2為本實(shí)用新型優(yōu)選實(shí)施例的控制器的機(jī)械結(jié)構(gòu)示意圖。

具體實(shí)施方式

下面結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式對(duì)本實(shí)用新型做進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。