[發明專利]黑色矩陣的制作方法及BOA基板

在審

• 申請號: 201810888932.2
• 申請日: 2018-08-07
• 公開（公告）號: CN108919582A
• 公開（公告）日: 2018-11-30
• 發明（設計）人: 邱軍輝;宋江江;沈順杰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: G02F1/1362
• 分類號: G02F1/1362
• 代理公司: 深圳市銘粵知識產權代理有限公司 44304
• 代理人: 孫偉峰;陽志全

1.一種黑色矩陣的制作方法，其特征在于，包括：

提供一基板(10)；

在所述基板(10)上形成對位標記(20)，并在所述對位標記(20)上方形成保護膜層(30)；

對所述保護膜層(30)位于所述對位標記(20)正上方的部分疏水處理；

在具有所述保護膜層(30)的所述基板(10)表面涂布光阻；

依次對所述光阻進行曝光、顯影，以去除未被光照的光阻材料，形成黑色矩陣。

2.根據權利要求1所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，還包括：在對所述保護膜層(30)位于所述對位標記(20)正上方的部分疏水處理前，對所述基板(10)進行清洗。

3.根據權利要求1所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，所述對位標記(20)為光阻材料。

4.根據權利要求1所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，所述基板(10)包括襯底(11)和陣列地形成在所述襯底(11)表面的薄膜晶體管(12)。

5.根據權利要求4所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，所述保護膜層(30)為鈍化層。

6.根據權利要求5所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，所述保護膜層(30)層疊覆蓋在所述對位標記(20)表面。

7.根據權利要求4所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，所述對位標記(20)形成于所述襯底(11)表面或所述基板(10)內的絕緣層上或所述薄膜晶體管(12)的電極上。

8.根據權利要求1-7任一所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，所述對所述保護膜層(30)位于所述對位標記(20)正上方的部分疏水處理的步驟為：利用紫外光照射所述保護膜層(30)位于所述對位標記(20)正上方的部分，以降低被照射區域的保護膜層(30)的色阻附著力。

9.根據權利要求8所述的黑色矩陣的制作方法，其特征在于，所述紫外光照射的光強為30～60mw/cm²，光積量為200～1000mj，光斑直徑為60～100um。

10.一種BOA基板，其特征在于，包括基板(10)和設于所述基板(10)上的對位標記(20)、保護膜層(30)、黑色矩陣(40)，所述保護膜層(30)位于所述對位標記(20)正上方的部分疏水處理，所述黑色矩陣(40)采用權利要求1-9任一所述的黑色矩陣的制作方法制作而成。