[實用新型]抗電壓跌落補償裝置

有效

• 申請號: 201320316957.8
• 申請日: 2013-06-03
• 公開（公告）號: CN203278256U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 丁屹峰;李偉;唐宇;周松霖;周宇
• 申請（專利權）人: 國家電網公司;北京市電力公司
• 主分類號: H02J3/32
• 分類號: H02J3/32
• 代理公司: 北京康信知識產權代理有限責任公司 11240
• 代理人: 李志剛;吳貴明

1.一種抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，包括：

儲能元件（3）；

整流電路（2），與所述儲能元件（3）相連接，用于將電網電壓（1）的交流電整流后傳輸給所述儲能元件（3）進行存儲；

逆變電路（4），與所述儲能元件（3）相連接，用于將所述儲能元件（3）的電能逆變成交流電輸出給負載（8）；以及

微處理器控制電路（5），與所述整流電路（2）和所述逆變電路（4）相連接，用于提供控制信號。

2.根據權利要求1所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，所述儲能元件（3）為電解電容器。

3.根據權利要求1所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，所述整流電路（2）包括：

第一二極管（16），第二二極管（17），第三二極管（18），第四二極管（19），所述第一二極管（16），所述第二二極管（17），所述第三二極管（18），所述第四二極管（19）采用橋式整流結構相連接，

其中：

所述第一二極管（16）的陽極連接至所述電網電壓（1）的火線（L），陰極連接至所述儲能元件（3）的正極；

所述第二二極管（17）的陽極連接至所述電網電壓（1）的零線（N），陰極連接至所述儲能元件（3）的正極；

所述第三二極管（18）的陽極連接至所述儲能元件（3）的負極，陰極連接至所述電網電壓（1）的火線（L），并與所述第一二極管（16）的陽極相連接；以及

所述第四二極管（19）的陽極連接至所述儲能元件（3）的負極，陰極連接至所述電網電壓（1）的零線（N），并與所述第二二極管（17）的陽極相連接。

4.根據權利要求3所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，所述逆變電路（4）包括：

第一IGBT管（12），第二IGBT管（13），第三IGBT管（14）以及第四IGBT管（15），所述第一IGBT管（12），所述第二IGBT管（13），所述第三IGBT管（14）以及所述第四IGBT管（15）采用單相橋式結構，

其中：

所述第一IGBT管（12）的集電極與所述第一二極管（16）的陰極相連接，發射極與所述第一二極管（16）的陽極相連接，柵極與所述微處理器控制電路（5）相連接；

所述第二IGBT管（13）的集電極與所述第二二極管（17）的陰極相連接，發射極與所述第二二極管（17）的陽極相連接，柵極與所述微處理器控制電路（5）相連接；

所述第三IGBT管（14）的集電極與所述第三二極管（18）的陰極相連接，發射極與所述第三二極管（18）的陽極相連接，柵極與所述微處理器控制電路（5）相連接；

所述第四IGBT管（15）的集電極與所述第四二極管（19）的陰極相連接，發射極與所述第四二極管（19）的陽極相連接，柵極與所述微處理器控制電路（5）相連接。

5.根據權利要求3所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，還包括：

第一雙向晶閘管（11），連接在所述負載（8）與逆變電路（4）之間，所述第一雙向晶閘管（11）的T2極與所述電網電壓（1）的零線（N）相連接，T1極與所述第二二極管（17）的陽極和第四二極管（19）的陰極相連接，控制極與微處理器控制電路（5）相連接；以及

電感（10），與所述第一雙向晶閘管（11）并聯。

6.根據權利要求1所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，還包括：

第二雙向晶閘管（9），連接在所述負載（8）與所述電網電壓（1）之間，所述第二雙向晶閘管（9）的T2極與所述電網電壓（1）的零線（N）相連接，T1極與所述負載（8）相連接，控制極與微處理器控制電路（5）相連接。

7.根據權利要求1所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，所述微處理器控制電路（5）包括基于DSP的數模混合結構的DSP微處理器。

8.根據權利要求7所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，所述DSP微處理器包括:

DSP電源（21），用于給所述DSP微處理器提供電能；以及

PWM輸出單元（22），用于輸出高頻驅動信號。

9.根據權利要求8所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，還包括：

降壓電路（24），與所述DSP電源（21）連接，用于將所述電網電壓（1）和所述儲能元件（3）的輸出電壓進行降壓處理后提供給所述DSP電源（21）。

10.根據權利要求1所述的抗電壓跌落補償裝置，其特征在于，還包括：

電壓檢測電路，與所述電網電壓（1）和所述儲能元件（3）相連接，用于對所述電網電壓（1）的和所述儲能元件（3）的輸出電壓進行采樣。