[實用新型]一種開關(guān)型電子負(fù)載有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320299978.3 | 申請日: | 2013-05-28 |
| 公開(公告)號: | CN203275469U | 公開(公告)日: | 2013-11-06 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 李建業(yè);李晴 | 申請(專利權(quán))人: | 濰坊藍(lán)黃信息科技發(fā)展有限公司 |
| 主分類號: | G01R1/20 | 分類號: | G01R1/20;G01R31/40 |
| 代理公司: | 北京金智普華知識產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11401 | 代理人: | 戴武軍 |
| 地址: | 261061 山東省濰坊市高新區(qū)*** | 國省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 開關(guān) 電子負(fù)載 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型涉及一種測試電源參數(shù)的電子負(fù)載,具體地說是一種開關(guān)型電子負(fù)載。
背景技術(shù)
電子負(fù)載可以模擬真實環(huán)境中電源的負(fù)載,用于測試電源參數(shù)。電子負(fù)載的原理是控制內(nèi)功率MOSFET或晶體管的導(dǎo)通量,靠功率管的耗散功率消耗電能的設(shè)備,它能夠準(zhǔn)確檢測出負(fù)載電壓,精確調(diào)整負(fù)載電流,同時可以實現(xiàn)模擬負(fù)載短路,模擬負(fù)載是感性阻性和容性,容性負(fù)載電流上升時間等,是開關(guān)電源的調(diào)試檢測不可缺少的檢測工具。傳統(tǒng)的電子負(fù)載,其MOS管工作于線性狀態(tài),能量在MOS管和功率電阻上以熱能的形式耗散,由于其MOS管散熱和器件本身應(yīng)許的最大電流限制,使得傳統(tǒng)的電子負(fù)載的最大工作電流一般在30A以下。如中國專利“一種直流電子負(fù)載”,專利申請?zhí)枮?011201627036,就是這樣一種依靠功率管的耗散功率消耗電能的設(shè)備電子負(fù)載。
發(fā)明內(nèi)容
本實用新型的目的在于提供一種耗散能量大、具有優(yōu)良的精度、穩(wěn)定性和動態(tài)響應(yīng)的開關(guān)型電子負(fù)載。
為了達(dá)到以上目的,本實用新型所采用的技術(shù)方案是:本實用新型所述的一種開關(guān)型電子負(fù)載包括功率半導(dǎo)體器件、連接在所述功率半導(dǎo)體器件源極的功率耗散電阻,其特征在于:所述功率半導(dǎo)體器件的柵極連接到功率驅(qū)動電路的輸出端,所述功率驅(qū)動電路的輸入端與脈寬調(diào)制生成比較器的輸出端連接,所述脈寬調(diào)制生成比較器的兩個信號輸入端分別連接諧波發(fā)生器的輸出端和采樣電路的輸出端,所述采樣電路的輸入端連接到功率半導(dǎo)體器件的源極。
所述諧波發(fā)生器由運算放大器芯片TL082及其外圍電路構(gòu)成。
所述功率半導(dǎo)體器件為N溝道的金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管。
采樣電路的輸出端經(jīng)比例積分運算器連接到脈寬調(diào)制生成比較器的信號輸入端,比例積分運算器的另一輸入端連接到帶有用戶界面的單片機的DA電流輸出端。
本實用新型通過諧波發(fā)生器產(chǎn)鋸齒波和經(jīng)比例積分運算得到的反饋電壓作比較生成高頻PWM波控制MOSFET管的導(dǎo)通。開關(guān)型電子負(fù)載具有優(yōu)良的精度、穩(wěn)定性和動態(tài)響應(yīng),結(jié)合精確的軟件控制,可實現(xiàn)電源測量的快速和準(zhǔn)確。
附圖說明
圖1為本實用新型一個實施例的電路方框圖。
圖2是諧波發(fā)生器的電路圖。
圖3為本實用新型另一個實施例的電路方框圖。
具體實施方式
如圖1所示,本實用新型所述一種開關(guān)型電子負(fù)載,包括功率半導(dǎo)體器件Q1、連接在所述功率半導(dǎo)體器件Q1源極的功率耗散電阻R1,所述功率半導(dǎo)體器件Q1采用N溝道的金屬-氧化層-半導(dǎo)體-場效晶體管。MOS管和功率耗散電阻共同構(gòu)成電子負(fù)載的功率電路,通過控制MOS管的關(guān)斷來實現(xiàn)電源消耗的快慢。所述功率半導(dǎo)體器件Q1的柵極連接到功率驅(qū)動電路P的輸出端,所述功率驅(qū)動電路P的輸入端與脈寬調(diào)制生成比較器PWM的輸出端連接,所述脈寬調(diào)制生成比較器PWM的兩個信號輸入端分別連接諧波發(fā)生器S的輸出端和采樣電路W的輸出端,所述采樣電路W的輸入端連接到功率半導(dǎo)體器件Q1的源極。
如圖2所示,所述諧波發(fā)生器S由運算放大器芯片TL082及其外圍電路構(gòu)成。
如圖3所示,采樣電路W的輸出端經(jīng)比例積分運算器B連接到脈寬調(diào)制生成比較器PWM的信號輸入端,比例積分運算器B的另一輸入端連接到帶有用戶界面UI的單片機MCU的DA電流輸出端I。來自系統(tǒng)輸入點的采樣輸入電壓V經(jīng)過壓保護(hù)電路V1連接到單片機MCU的信號采集端。
本實用新型采用帶有用戶界面UI的單片機MCU為控制核心,通過諧波發(fā)生器S產(chǎn)鋸齒波和經(jīng)比例積分運算器B得到的反饋電壓作比較生成高頻脈寬調(diào)制波控制MOSFET管的導(dǎo)通,然后經(jīng)過誤差比較器的調(diào)節(jié)構(gòu)成閉環(huán)負(fù)反饋控制環(huán)路。開關(guān)型電子負(fù)載具有優(yōu)良的精度、穩(wěn)定性和動態(tài)響應(yīng),并結(jié)合精確的軟件控制,實現(xiàn)了電源測量的快速和準(zhǔn)確。
本實用新型涉及的其他各部分電路均為公知技術(shù),在此不再詳細(xì)敘述。
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G01R 測量電變量;測量磁變量
G01R1-00 包含在G01R 5/00至G01R 13/00和G01R 31/00組中的各類儀器或裝置的零部件
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G01R1-20 .電測量儀器中所用的基本電氣元件的改進(jìn);這些元件和這類儀器的結(jié)構(gòu)組合
G01R1-28 .在測量儀器中提供基準(zhǔn)值的設(shè)備,例如提供標(biāo)準(zhǔn)電壓、標(biāo)準(zhǔn)波形
G01R1-30 .電測量儀器與基本電子線路的結(jié)構(gòu)組合,例如與放大器的結(jié)構(gòu)組合
G01R1-36 .電測量儀器的過負(fù)載保護(hù)裝置或電路





