[實(shí)用新型]一種單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器

有效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201320296041.0
• 申請(qǐng)日: 2013-05-28
• 公開(kāi)（公告）號(hào): CN203278765U
• 公開(kāi)（公告）日: 2013-11-06
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 董樹(shù)榮;卞曉磊;胡娜娜;郭維
• 申請(qǐng)（專(zhuān)利權(quán)）人: 江蘇艾倫摩爾微電子科技有限公司
• 主分類(lèi)號(hào): H03H9/17
• 分類(lèi)號(hào): H03H9/17
• 代理公司: 南京縱橫知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 32224
• 代理人: 董建林

1.一種單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，設(shè)置一個(gè)直流偏壓?jiǎn)卧獮楸∧んw聲波諧振器提供偏壓電壓，所述的直流偏壓?jiǎn)卧敵龆朔謩e連接內(nèi)嵌肖特基結(jié)的薄膜體聲波諧振器的上、下電極，所述直流偏壓?jiǎn)卧c薄膜體聲波諧振器集成在一個(gè)硅片CELL單元內(nèi)。

2.如權(quán)利要求1所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的薄膜體聲波諧振器采用薄膜堆疊結(jié)構(gòu)，包含依次堆疊于基板上集成一體的聲反射層、下電極、壓電層、半導(dǎo)體薄層以及上電極。

3.如權(quán)利要求1所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的直流偏壓?jiǎn)卧獮闇孛綦娮韬推胀娮璐?lián)組成的偏壓電路，并通過(guò)外接芯片電源實(shí)現(xiàn)直流偏壓。

4.如權(quán)利要求1?所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，直流偏壓?jiǎn)卧怯蓽囟让舾械碾娮?、普通電阻和穩(wěn)壓電源組成的電阻網(wǎng)絡(luò)分壓電路，或是由包含溫敏電阻的電橋差動(dòng)偏壓電路組成。

5.如權(quán)利要求3所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的溫敏電阻為溫度敏感的多晶硅電阻、阱電阻、n+/p+電阻或n+?poly/p+?poly?電阻。

6.如權(quán)利要求2所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的聲反射層是布拉格聲反射層、表面氣隙結(jié)構(gòu)或表面犧牲層結(jié)構(gòu)中的一種。

7.如權(quán)利要求1所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的直流偏壓?jiǎn)卧褂闷胀–MOS工藝與薄膜體聲波諧振器一起制備在硅片表面，所述的薄膜體聲波諧振器制備在直流偏壓?jiǎn)卧拟g化層上方；薄膜體聲波諧振器和直流偏壓?jiǎn)卧约盎械募呻娐?，通過(guò)垂直通孔實(shí)現(xiàn)電路連接。

8.如權(quán)利要求2所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的壓電層采用具有壓電效應(yīng)的壓電材料，所述壓電材料為ZnO、AlN、GaAs或CdS。

9.如權(quán)利要求2所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的半導(dǎo)體薄層是載流子濃度在10¹²－10^19?cm^-3的壓電半導(dǎo)體材料。

10.如權(quán)利要求2所述的單芯片集成溫度補(bǔ)償?shù)谋∧んw聲波諧振器，其特征在于，所述的半導(dǎo)體薄層和所述的上電極形成構(gòu)成肖特基接觸的勢(shì)壘二極管，所述上電極為Au或Cr。