[實用新型]集成電路有效
| 申請號： | 201320263131.X | 申請日： | 2013-05-10 |
| 公開（公告）號： | CN203377214U | 公開（公告）日： | 2014-01-01 |
| 發明（設計）人： | S·喬布洛特;P·巴爾 | 申請（專利權）人： | 意法半導體有限公司 |
| 主分類號： | H01L23/528 | 分類號： | H01L23/528;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京市金杜律師事務所 11256 | 代理人： | 王茂華;鄭振 |
| 地址： | 法國*** | 國省代碼： | 法國;FR |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | 集成電路 | ||
1.一種集成電路，其特征在于，包括：?
半導體襯底，具有從第二表面被厚度間隔開的第一表面、在所述襯底的所述第二表面中形成的具有壁和底部的孔，所述孔延伸穿過所述襯底的所述厚度的至少50％；?
導電材料，覆蓋所述孔的所述壁和所述底部；?
絕緣材料，在所述孔中位于所述導電材料之上；以及?
共面線，形成于所述襯底的所述第二表面之上，所述共面線包括位于中心導體的相對側上的第一側部導體和第二側部導體，所述中心導體在所述孔前面并且與所述孔平行，并且其中所述共面線的所述第一側部導體和所述第二側部導體電連接到所述孔的所述壁之上的所述導電材料。?
2.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述共面線的所述中心導體形成于所述絕緣材料前面，并且所述中心導體具有比所述孔的寬度更小的寬度。?
3.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，所述孔延伸穿過所述襯底的整個厚度。?
4.根據權利要求1所述的集成電路，其特征在于，絕緣層在所述襯底與所述導電材料之間布置于所述孔中和所述第二表面上。?
5.一種集成電路，其特征在于，包括：?
半導體襯底，具有第一表面和相對的第二表面、延伸穿過所述襯底的所述第二表面的具有壁和底部的第一孔；?
導電材料，位于所述第一孔的所述壁和所述底部之上；?
絕緣材料，位于所述導電材料之上并且填充所述第一孔；?
中心導體，位于所述襯底的所述第二表面之上，所述中心導體位于所述第一孔之上；以及?
第一側部導體和第二側部導體，位于所述第二表面之上并且在所述中心導體的相對側上并且在與所述中心導體平行的平面中。?
6.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述襯底的所述第一表面從所述第二表面被厚度間隔開，所述第一孔穿過所述厚度的至少50％向所述襯底中延伸。?
7.根據權利要求6所述的集成電路，其特征在于，所述第一孔延伸穿過所述襯底的整個厚度。?
8.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，還包括在所述第一孔的所述壁上并且位于所述襯底與所述導電材料之間的絕緣層。?
9.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，所述第一側部導體和所述第二側部導體電連接到所述第一孔的所述壁之上的所述導電材料。?
10.根據權利要求5所述的集成電路，其特征在于，還包括：第二孔，所述第二孔形成于所述襯底的所述第二表面中，所述第二孔具有壁和底部；以及導電材料，所述導電材料位于所述第二孔的所述壁和所述底部之上。?
11.根據權利要求10所述的集成電路，其特征在于，還包括在所述襯底的所述第一表面上的有源部件，在所述第二孔中的所述導電材料電耦合到所述有源部件中的一個。?
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