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[實用新型]清洗槽有效

專利信息
申請號: 201320259750.1 申請日: 2013-05-14
公開(公告)號: CN203281549U 公開(公告)日: 2013-11-13
發明(設計)人: 唐強;李廣寧 申請(專利權)人: 中芯國際集成電路制造(北京)有限公司
主分類號: B08B3/14 分類號: B08B3/14;B08B3/10;B08B3/12
代理公司: 上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237 代理人: 屈蘅;李時云
地址: 100176 北京市大興區*** 國省代碼: 北京;11
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摘要:
搜索關鍵詞: 清洗
【說明書】:

技術領域

實用新型涉及集成電路制造技術領域,特別涉及一種清洗槽。?

背景技術

在半導體集成電路制造過程中,晶片在化學機械研磨(CMP)機臺中經過拋光后,要繼續經過一系列的清洗步驟,除去在拋光過程中晶片表面所殘留的研磨液、化學研磨液以及研磨微粒的污染,用以保證晶片后續加工制造過程中的質量。通常,將CMP后的晶片放入一清洗槽,使用清洗液加超聲波的清洗方法將殘留在晶片上的污染物去除。?

如圖1所示,用于清洗CMP后的晶片的清洗槽100,包括外清洗槽101和內清洗槽102,所述內清洗槽102放置于所述外清洗槽101中,且所述內清洗槽102和外清洗槽101均為上開口。其中,外清洗槽101的上沿口要高于內清洗槽102的上沿口,在內清洗槽102的底部側壁上設置有旋轉裝置103,在內清洗槽102的底壁上設置有超聲波振動器104。在內清洗槽102中盛有流動的清洗液,清洗液從內清洗槽102的底壁注入向上流動,當清洗液充滿內清洗槽102后,清洗液會從內清洗槽102的上沿口溢出進入外清洗槽101內。在內清洗槽102中,清洗液的流動方向為從下往上。?

當要對晶片進行清洗時,要將晶片從內清洗槽102的上開口放入內清洗槽102內的旋轉裝置103上,旋轉裝置103會帶動晶片在清洗液中旋轉,同時超聲波振動器104在清洗液中產生超聲波,將附著在晶片上的污染物清除掉,清除后的污染物會混入清洗液中,因為內清洗槽102內的清洗液的流動方向是從下往上的,因此混入清洗液中的污染物會被流動的清洗液帶出內清洗槽102而進入外清洗槽101內,避免了流在內清洗槽102內對晶片造成二次污染。但是,因為在所述內清洗槽102的上沿口為鋸齒狀,在污染物從內清洗槽102向外清洗槽101內流出時,會受到內清洗槽102上沿口的阻擋而附著在其上,附著在?內清洗槽102上沿口的污染物到達一定程度后,會出現脫落而重新落入內清洗槽102內,又會導致對晶片的二次污染,從而造成晶片的不良。?

實用新型內容

本實用新型的目的在于提供一種清洗槽,以解決現有技術中的清洗槽的內清洗槽的污染物掉落后對晶片造成二次污染的問題,減少因此對晶片造成的相關不良,從而達到提高良率的目的。?

為解決上述技術問題,本實用新型提供一種清洗槽,包括一內清洗槽,所述內清洗槽具有一底壁以及連接于所述底壁上的四個側壁,所述內清洗槽還包括:?

一過濾網;以及?

一自動開關的槽蓋,所述槽蓋與所述底壁相對設置并位于所述側壁上,所述槽蓋與所述底壁和側壁圍成一封閉的容納空間;?

其中,至少一個所述側壁在靠近槽蓋的一端上設置有一開口,所述開口被所述過濾網覆蓋。?

可選的,所述過濾網的材料均為聚丙烯樹脂。?

可選的,所述過濾網包括從槽內至槽外依次編織的內層濾網和外層濾網,所述內層濾網由內層纖維編織而成,所述外層濾網由外層纖維編織而成。?

可選的,所述內層纖維的線徑大于所述外層纖維的線徑。?

可選的,所述內層纖維的編織密度高于所述外層纖維的編織密度。?

可選的,每個所述側壁在靠近槽蓋的一端上均設置有所述開口,多個所述開口連接形成一封閉環。?

可選的,所述內清洗槽還包括一控制氣缸,所述控制氣缸與所述槽蓋連接。?

可選的,所述清洗槽還包括一外清洗槽,所述外清洗槽包括一敞口槽體,所述內清洗槽設置于所述外清洗槽內。?

可選的,所述內清洗槽還包括:?

設置于所述底壁上的超聲波振動器;以及?

設置于所述側壁上的旋轉裝置。?

可選的,所述內清洗槽的底壁上設置有進液口,所述內清洗槽的所述側壁設置有出液口。?

本實用新型所提供的清洗槽,包括一內清洗槽,所述內清洗槽具有一底壁以及連接于所述底壁上的多個側壁,所述內清洗槽還包括:一過濾網;以及一自動開關的槽蓋,所述槽蓋與所述底壁相對設置并位于所述側壁上,所述槽蓋與所述底壁和側壁圍成一封閉的容納空間;其中,至少一個所述側壁在靠近槽蓋的一端上設置有一開口,所述開口被所述過濾網覆蓋。因為所述側壁在靠近槽蓋的一端上設置了開口,并且所述開口被所述過濾網覆蓋,因此在所述槽蓋與所述底壁和側壁圍成一封閉的容納空間中,清洗液只能從通過過濾網才能外溢到內清洗槽外,這樣清洗液中的污染物就會被過濾網截留并吸附在過濾網上,避免了污染物脫落重新落入清洗槽中而造成對晶片的二次污染,降低了與此相關的缺陷的發生率。?

附圖說明

圖1是現有技術中清洗槽的結構示意圖;?

圖2為本實用新型一實施例的清洗槽的結構示意圖;?

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