[實用新型]分段式SE刻蝕掩膜太陽能電池正面電極結(jié)構(gòu)有效
| 申請?zhí)枺?/td> | 201320239613.1 | 申請日: | 2013-05-07 |
| 公開(公告)號: | CN203192805U | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發(fā)明(設(shè)計)人: | 徐濤;張恒;侯林均;舒毅;程曦;姜滔;匡成國;段甜健;包崇彬 | 申請(專利權(quán))人: | 天威新能源控股有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/0224 | 分類號: | H01L31/0224 |
| 代理公司: | 成都行之專利代理事務(wù)所(普通合伙) 51220 | 代理人: | 梁田 |
| 地址: | 610000 四川省成都市雙流*** | 國省代碼: | 四川;51 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 段式 se 刻蝕 太陽能電池 正面 電極 結(jié)構(gòu) | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實用新型屬于太陽能電池制造領(lǐng)域,涉及一種分段式SE刻蝕掩膜太陽能電池正面電極結(jié)構(gòu)。
背景技術(shù)
現(xiàn)今人類使用的能源主要來自于石油、礦山資源,但由于地球石油、礦山資源有限,因此近年來對于替代能源的需求與日俱增,而在各式替代能源中又以太陽能最具發(fā)展?jié)摿Α?/p>
太陽能電池的發(fā)電效率主要取決于光電轉(zhuǎn)換效率的高低,而光電轉(zhuǎn)換效率主要受限于下列三項因素:一、光吸收能力;二、電子-空穴對的復(fù)合;三、接觸電阻。在上述三項因素中,光吸收能力與電子-電洞對的復(fù)合受限于材料本身的特性,而暫時無提升的空間,但針對接觸電阻這一因素,目前業(yè)界研發(fā)出了一種選擇性擴散的技術(shù),可減少接觸電阻,增加影響因子,提高短路電流和開路電壓,進而提升太陽能電池光電轉(zhuǎn)換效率的作法。選擇性擴散的方法是利用選擇性射極SE(selective??emitter)結(jié)構(gòu),于金屬電極與半導(dǎo)體層之間的區(qū)域形成重度摻雜,形成良好的歐姆接觸,使半導(dǎo)體層的發(fā)射極區(qū)形成輕度摻雜,增強藍(lán)光響應(yīng),并降低表面載流子復(fù)合,從而達(dá)到更好的鈍化效果。如此一來引入選擇性發(fā)射極結(jié)構(gòu)已成為制作高效太陽電池的關(guān)鍵技術(shù)之一。
但隨著金融危機正猛烈沖擊全球光伏產(chǎn)業(yè),主流大廠紛紛加快降低太陽電池制造成本的步伐,高效選擇性發(fā)射極太陽電池技術(shù)的應(yīng)用大幅加速的同時對電池片的制備成本也提出了更高要求。由此在公知制作選擇性射極的方法中,后續(xù)形成的SE刻蝕掩膜電極圖形結(jié)構(gòu)的設(shè)計與制作是降本增效首先要攻克的難關(guān)。
SE刻蝕掩膜電極柵線圖形及柵線線長寬設(shè)計又對石蠟成本、電池效率效影響非常大。目前,SE刻蝕掩膜電極制備主要采用與絲網(wǎng)印刷網(wǎng)版匹配的直通式圖形,這使得SE刻蝕掩膜電極制備成為除去硅片、金屬漿料成本以外電池片制備成本的主要部分之一。
H形圖形為目前SE刻蝕掩膜電極圖形的主要圖形,其掩膜中2為電池片主柵線,3為電池片細(xì)柵線主要是利用石蠟保護金屬電極接觸的區(qū)域達(dá)到重?fù)诫s效果,形成良好的歐姆接觸,起到很好的鈍化作用;而非石蠟掩膜柵線保護區(qū)域被刻蝕達(dá)到輕摻雜的效果,用以提高短波段太陽光的量子效率,提高短路電流,同時,存在這一個橫向高低結(jié),還可以提高開路電壓。現(xiàn)在已有很多SE刻蝕掩膜電極柵線圖形的設(shè)計,不斷調(diào)整掩膜柵線的長度和寬度達(dá)到降本增效,但還是會面如下問題,若柵線掩膜過寬,會增大金屬電極印刷區(qū)域復(fù)合機率;若柵線掩膜過細(xì),又會影響金屬柵線印刷對準(zhǔn)的精確性,從而嚴(yán)重影響了電池片的電性能。
實用新型內(nèi)容
為克服傳統(tǒng)技術(shù)柵線過寬和過窄分別存在的缺陷,進一步減少主柵線印刷漿料用量,本實用新型提供一種分段式SE刻蝕掩膜太陽能電池正面電極結(jié)構(gòu)。
本實用新型所述分段式SE刻蝕掩膜太陽能電池正面電極結(jié)構(gòu),包括主柵線和與主柵線連接的細(xì)柵線,所述主柵線由寬度相同的若干段不連續(xù)的主柵線段組成,所述主柵線段之間有連接相鄰兩段主柵線段的導(dǎo)通結(jié)構(gòu)。
具體的,所述導(dǎo)通結(jié)構(gòu)為主柵線段之間寬度小于主柵線段寬度的連接線。
具體的,所述導(dǎo)通結(jié)構(gòu)為相鄰兩段主柵線段連接的細(xì)柵線之間的細(xì)柵連接線。
進一步的,所述連接線寬度為0.1-1毫米。
優(yōu)選的,所述主柵線段形狀與金屬電極印刷形狀相同。
具體的,所述主柵線由2至100段主柵線段組成。
進一步的,所述主柵線由9段主柵線組成。
優(yōu)選的,主柵線之間的間距為細(xì)柵線間距的1-20倍。
采用本實用新型所述的分段式SE刻蝕掩膜太陽能電池正面電極結(jié)構(gòu),降低了主柵線線寬設(shè)計難度,可有效減低主柵線漿料石蠟耗量,從而降低成本,同時減少主柵線金屬電極區(qū)域的復(fù)合機率。采用與金屬電極印刷相匹配的主柵線段形狀,還可降低金屬電極主柵線燒結(jié)引起的彎曲變形和主柵線脫落情況。另外SE刻蝕掩膜分段式主柵線結(jié)構(gòu)還有對碎片任意切割再利用的優(yōu)點。
附圖說明
圖1示出傳統(tǒng)SE電池柵線形狀示意圖;
圖2示出本實用新型所述主柵線段的一種具體實施方式;
圖3示出本實用新型所述主柵線段的另一種具體實施方式;
圖4示出本實用新型實施例1中采用細(xì)柵連接線的主柵線段連接處示意圖;
圖5示出本實用新型實施例1中采用連接線的柵線分布示意圖;
圖6示出本實用新型實施例1中采用細(xì)柵連接線的主柵線段連接處示意圖;
圖7示出本實用新型實施例1中采用細(xì)柵連接線的柵線分布示意圖;
圖8示出本實用新型實施例2中采用連接線的主柵線段連接處示意圖;
圖9示出本實用新型實施例2中采用連接線的柵線分布示意圖;
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉(zhuǎn)換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導(dǎo)體器件;專門適用于制造或處理這些半導(dǎo)體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導(dǎo)體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉(zhuǎn)換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內(nèi)或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發(fā)光光源在結(jié)構(gòu)上相連的,并與其電光源在電氣上或光學(xué)上相耦合的





