[實用新型]一種汽車儀表老化試驗裝置有效
| 申請號: | 201320233266.1 | 申請日: | 2013-05-03 |
| 公開(公告)號: | CN203224251U | 公開(公告)日: | 2013-10-02 |
| 發明(設計)人: | 彭懷銀;鐘柳杰 | 申請(專利權)人: | 紹興縣博菱德電子有限公司 |
| 主分類號: | G01D18/00 | 分類號: | G01D18/00 |
| 代理公司: | 紹興市越興專利事務所 33220 | 代理人: | 蔣衛東 |
| 地址: | 312030 浙江*** | 國省代碼: | 浙江;33 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 汽車 儀表 老化 試驗裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種汽車儀表老化試驗裝置,屬于老化試驗技術領域。
背景技術
目前,為保障汽車儀表在使用過程中的可靠性,出廠前需要對其進行老化試驗,現在主要使用的老化試驗裝置,存在如下缺點:?
???????1.設備簡單,只能做頻率信號發生器;
???????2.集成化水平不高,不能同時進行定時和掃頻。
有鑒于此,本發明人對此進行研究,專門開發出一種汽車儀表老化試驗裝置,本案由此產生。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種功能全、操作簡便的汽車儀表老化試驗裝置。
為了實現上述目的,本實用新型的解決方案是:
一種汽車儀表老化試驗裝置,包括MCU、信號發生模塊、顯示模塊、按鍵輸入模塊、電源模塊和報警模塊等,其中,MCU的輸入端分別與電源模塊和按鍵輸入模塊相連,輸出端分別與信號發生模塊、顯示模塊和報警模塊相連,MCU通過信號發生模塊與被測儀表相連。
上述MCU采用汽車級的單片機,如ST、飛思卡爾、PIC16F1937等單片機。
上述信號發生模塊主要由三極管,以及與三極管相連的限流電阻組成。
上述電源模塊主要由低壓降電壓穩壓器芯片,以及與其相連的電解電容等組成,為MCU提供5V電壓。
上述顯示模塊由LCD、以及與LCD引腳相連的電阻、濾波電容等組成;輸入+24V電壓后LCD背光亮,MCU開始工作對LCD發出控制指令,根據液晶顯示的真值表,實現被測儀表相關參數的顯示,如IGN電壓、信號電壓、工作模式、老化時間等。
按鍵輸入模塊由若干個按鍵開關組成,分別表示運行、暫停、停止、設置、
取消、保存等,用來設置汽車儀表老化試驗裝置的運行參數。
?報警模塊由蜂鳴器,以及并聯在蜂鳴器負極的三極管、二極管等組成,通過MCU輸出BEEP來控制蜂鳴器的工作,當汽車儀表老化試驗裝置工作異常時及定時時間到時進行蜂鳴器報警。
上述汽車儀表老化試驗裝置工作時,電源模塊的低壓降電壓穩壓器芯片把外部輸入的+24V電壓轉化為穩定的+5V電壓,提供給MCU,通過按鍵輸入模塊輸入各個參數,MCU根據設置的參數來輸出5V的PWM-A和PWM-B方波信號,當PWM-A和PWM-B同時為低電平時,PWM-OUT輸出為-24的低電平,當PWM-A和PWM-B同時為高電平時,PWM-OUT輸出為+24V的高電平;從而實現將MCU輸出的5V方波信號轉成±24V的方波信號,實現方波型號的功率放大;輸入+24V電壓后LCD背光亮,MCU開始工作對LCD發出控制指令,根據液晶顯示的真值表,實現被測儀表相關參數的顯示,如IGN電壓、信號電壓、工作模式、老化時間等。當汽車儀表老化試驗裝置工作異常時和定時時間到時,MCU會通過輸出BEEP來控制報警模塊進行報警。采用上述汽車儀表老化試驗裝置,可以通過按鍵設置定時、掃頻、電壓、頻率等功能,而且采用LCD顯示,相比傳統的數碼管,顯示更豐富,定時時間到可自行切斷儀表信號源,并蜂鳴器報警提醒。
以下結合附圖及具體實施例對本實用新型做進一步詳細描述。
附圖說明
圖1為本實施例的汽車儀表老化試驗裝置系統框圖;
圖2為本實施例的汽車儀表老化試驗裝置MCU連接電路圖;
圖3為本實施例的汽車儀表老化試驗裝置信號發生模塊電路圖;
圖4為本實施例的汽車儀表老化試驗裝置電源模塊電路圖;
圖5為本實施例的汽車儀表老化試驗裝置顯示模塊電路圖;?
圖6為本實施例的汽車儀表老化試驗裝置按鍵輸入模塊電路圖;
圖7為本實施例的汽車儀表老化試驗裝置報警模塊電路圖。
具體實施方式
如圖1所示,一種汽車儀表老化試驗裝置,包括MCU1、信號發生模塊2、顯示模塊3、按鍵輸入模塊4、電源模塊5和報警模塊6等,其中,MCU1的輸入端分別與電源模塊5和按鍵輸入模塊4相連,輸出端分別與信號發生模塊2、顯示模塊3和報警模塊6相連,MCU1通過信號發生模塊2與被測儀表7相連。
上述MCU1可以采用多款單片機,如ST、飛思卡爾、PIC16F1937等單片機;本實施例考慮成本問題,如圖2所示,MCU1采用了PIC16F1937單片機,該單片機具有高精度內部振蕩器,節能的休眠模式,上電復位,上電延時定時器和振蕩器起振定時器,高耐用性閃存/EEPROM?單元,閃存可經受100,000?次寫操作,?EEPROM?可經受1,000,000?次寫操作,寬工作電壓范圍。
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