[實用新型]一種三相逆變器并聯IGBT驅動系統有效
| 申請號: | 201320225281.1 | 申請日: | 2013-04-27 |
| 公開(公告)號: | CN203261256U | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 彭志 | 申請(專利權)人: | 上海途日新能源科技有限公司 |
| 主分類號: | H02M7/5387 | 分類號: | H02M7/5387 |
| 代理公司: | 上海三和萬國知識產權代理事務所(普通合伙) 31230 | 代理人: | 陳偉勇 |
| 地址: | 200237 上海市閔行*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三相 逆變器 并聯 igbt 驅動 系統 | ||
1.一種三相逆變器并聯IGBT驅動系統,包括一IGBT驅動及保護電路、并聯IGBT模塊,其特征在于:還包括1路PWM控制電路,1路PWM控制電路連接1路推挽式MOSFET變換電路,推挽式MOSFET變換電路的輸出端連接3路隔離變壓器;
每路隔離變壓器的輸出端連接2路整流電路;
每路整流電路的輸出端連接一IGBT驅動及保護電路,并為三相逆變橋中的6路IGBT驅動及保護電路提供驅動電源;
每路IGBT驅動及保護電路均連接一互補推挽功率放大電路,互補推挽功率放大電路為并聯IGBT模塊提供驅動電流。
2.根據權利要求1所述的一種三相逆變器并聯IGBT驅動系統,其特征在于,PWM控制電路由集成電壓型PWM控制芯片和定時阻容電路構成。
3.根據權利要求2所述的一種三相逆變器并聯IGBT驅動系統,其特征在于,推挽式MOSFET變換電路包括兩個參數相同MOSFET管,兩個參數相同MOSFET管漏極之間連接一RC濾波電路。
4.根據權利要求3所述的一種三相逆變器并聯IGBT驅動系統,其特征在于,隔離變壓器一次側連接至兩個參數相同MOSFET管的漏極以及集成電壓型PWM控制芯片的電源端;
二次側連接至整流電路。
5.根據權利要求4所述的一種三相逆變器并聯IGBT驅動系統,其特征在于,IGBT驅動及保護電路由帶光耦隔離與故障保護功能的集成芯片、充電延時電容、過流或短路保護檢測電阻、快恢復二極管、互補推挽功率放大電路及并聯IGBT模塊驅動電阻構成;
帶光耦隔離與故障保護功能的集成芯片的正電源端和負電源端均連接至每路整流電路輸出端;
每路整流電路正負電壓公共端連接至帶光耦隔離與故障保護功能的集成芯片U2的接地端。
6.根據權利要求5所述的一種三相逆變器并聯IGBT驅動系統,其特征在于,并聯IGBT模塊驅動電阻分別連接并聯IGBT模塊的柵極;帶光耦隔離與故障保護功能的集成芯片的接地端連接至并聯IGBT模塊的發射集;快恢復二極管的負極連接至并聯IGBT模塊的集電極。
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