[實用新型]一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置

有效

• 申請號: 201320223611.3
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN203286986U
• 公開（公告）日: 2013-11-13
• 發明（設計）人: 黃昌清;馮桂蘭;宋鑫;蔡青;劉夢詩
• 申請（專利權）人: 中國計量學院
• 主分類號: G01B11/02
• 分類號: G01B11/02
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，包括一個激光源、固定光子晶體模塊、可移動光子晶體模塊和探測器；固定光子晶體模塊包括固定的第一基座和與第一基座垂直的第一光子晶體陣列；可移動光子晶體模塊包括第二基座和與第二基座垂直的第二光子晶體陣列；第二光子晶體陣列介質柱與第一光子晶體陣列介質柱交替排列形成復合光子晶體結構，且第二光子晶體陣列可以相對于第一光子晶體陣列水平移動。

2.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述的第一光子晶體陣列成矩形或者三角形排列。

3.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述的第一光子晶體介質柱橫截面為圓形或者方形。

4.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述的第二光子晶體陣列成矩形或者三角形排列。

5.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述的第二光子晶體介質柱橫截面為圓形或者方形。

6.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述的第一光子晶體陣列和第二光子晶體陣列的晶格常數a為200nm～100μm。

7.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述的第一光子晶體介質柱直徑為0.1a～0.8a，第二光子晶體介質柱直徑為0.1a～0.8a。

8.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述的第一光子晶體介質柱直徑和所述的第二光子晶體介質柱直徑之和小于晶格常數。

9.根據權利要求1所述的一種基于復合二維光子晶體的微位移傳感裝置，其特征在于，所述第一光子晶體陣列、第二光子晶體陣列、第一基座、第二基座由絕緣體材料或者半導體材料制成。