[實用新型]一種用于石墨烯化學氣相沉積設備的雜質氣體吸附裝置

有效

• 申請號: 201320211860.0
• 申請日: 2013-04-24
• 公開（公告）號: CN203264325U
• 公開（公告）日: 2013-11-06
• 發明（設計）人: 劉長江;連榕
• 申請（專利權）人: 廈門烯成新材料科技有限公司
• 主分類號: B01D8/00
• 分類號: B01D8/00;C23C16/26;C23C16/44
• 代理公司: 廈門市誠得知識產權代理事務所(普通合伙) 35209
• 代理人: 程文敢

技術領域

本實用新型公開一種用于石墨烯化學氣相沉積設備的雜質氣體吸附裝置，按國際專利分類表(IPC)劃分屬于科學儀器制造技術領域。

背景技術

石墨烯(Graphene)自2004年發現以來,在短短數年間已經成為凝聚態物理、化學、材料科學等領域研究中倍受矚目的新型材料，化學氣相沉積(CVD)是目前制備石墨烯的最有效、也是最具研究價值的方法。目前，石墨烯化學氣相沉積設備所采用的雜質氣體吸附裝置是一個裝有液氮的吸附冷阱，使用時需要不停地人工添加液氮，費時費力。

發明內容

針對現有技術的不足，本實用新型提供了一種結構合理、使用方便的用于石墨烯化學氣相沉積設備的雜質氣體吸附裝置，通過電子元器件形成電學低溫冷阱，不需要液氮等額外的冷卻劑。

為達到上述目的，本實用新型是通過以下技術方案實現的：

一種用于石墨烯化學氣相沉積設備的雜質氣體吸附裝置，包括一氣流通道，該通道一端為石墨烯化學氣相沉積中的混合氣體入口，在氣流通道外側裝有若干組半導體致冷片，各致冷片通電聯接形成電學低溫氣流冷阱并吸附雜質氣體，氣流通道另一端為純化氣體出口。

進一步，所述氣流通道的兩端分別連接真空法蘭。

本實用新型采用半導體致冷器件，形成一個電學低溫冷阱，不需要液氮等額外的冷卻劑，而是通過低溫吸附的方法，除去混合氣源中的雜質氣體，結構簡單，使用方便，易于維護。

附圖說明

圖1是本實用新型示意圖。

具體實施方式

下面結合附圖對本實用新型作進一步說明：

實施例：請參閱圖1，一種用于石墨烯化學氣相沉積設備的雜質氣體吸附裝置，包括一氣流通道1，該通道一端為石墨烯化學氣相沉積中的混合氣體入口，在氣流通道外側裝有若干組半導體致冷片2，各致冷片與電源電聯接并形成電學低溫氣流冷阱并吸附雜質氣體，氣流通道另一端為純化氣體出口。在氣流通道的兩端分別連接真空法蘭11、12。

本實用新型包括一個氣路流通結構，氣體從一個口輸入，從另一個口輸出。在結構的外側，裝有幾組半導體致冷片。在致冷片上施加電流后，半導體致冷片開始工作，其中緊貼氣體流通結構的一側溫度降低，冷卻了氣體流通結構，從而形成一個氣體冷阱。當石墨烯化學氣相沉積中的混合氣體進入該冷阱后，雜質氣體被冷凝吸附在冷阱內壁，無法進入高溫反應腔式內，從而對混合反應氣體起到了純化的作用。

以上所記載，僅為利用本創作技術內容的實施例，任何熟悉本項技藝者運用本創作所做的修飾、變化，皆屬本創作主張的專利范圍，而不限于實施例所揭示者。