[實用新型]透明導電膜有效
| 申請號: | 201320148295.8 | 申請日: | 2013-03-28 |
| 公開(公告)號: | CN203179570U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 周菲;曹淼倩 | 申請(專利權)人: | 南昌歐菲光科技有限公司 |
| 主分類號: | H01B5/14 | 分類號: | H01B5/14 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 鄧云鵬 |
| 地址: | 330000 江西省*** | 國省代碼: | 江西;36 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 透明 導電 | ||
技術領域
本實用新型涉及電子技術領域,特別是涉及一種透明導電膜。
背景技術
觸摸屏(touch?screen)又稱為“觸控屏”、“觸控面板”,是一種可接收觸頭等輸入訊號的感應式液晶顯示系統,可用以取代機械式的按鈕面板,并借由液晶顯示畫面制造出生動的影音效果。
目前,導電層是觸摸屏中至關重要的組成部分。傳統的觸摸屏一般采用摻錫氧化銦(Indium?Tin?Oxides,ITO)導電層。在制備ITO層時,總是不可避免的需要鍍膜,圖形化,電極銀引線制作。且在ITO圖形化的時候需要對ITO膜進行蝕刻,這種傳統的制作流程復雜且冗長,使導電層的導電性差,從而導致良品率不高。
實用新型內容
基于此,有必要針對導電層的導電性差,良品率不高的問題,提供一種透明導電膜。
一種透明導電膜,包括:
基底,包括第一區域,及位于所述基底邊緣的第二區域;
透明導電層,埋入設置于所述第一區域,所述透明導電層包括第一網格凹槽,以及由填充于所述第一網格凹槽的導電材料形成的第一導電網格;
引線電極,形成于所述基底的第二區域,所述引線電極包括含有導電材料的第二導電網格;
所述透明導電層與所述第二區域相交處的導電材料的端部形成節點,并與對應的所述引線電極的導電材料的端點直接電連接。
在其中一個實施例中,所述第二導電網格的網格線的密度不小于所述第一導電網格的網格線的密度。
在其中一個實施例中,所述引線電極包括開設于所述第二區域的第二網格凹槽,所述第二導電網格的導電材料收容于所述第二網格凹槽。
在其中一個實施例中,所述第一網格凹槽的深度與寬度的比值不小于1,所述第二網格凹槽的深度與寬度的比值不小于1,所述第一網格凹槽的寬度和所述第二網格凹槽的寬度均不大于10μm。
在其中一個實施例中,所述引線電極凸設于所述第二區域的表面。
在其中一個實施例中,所述引線電極的最小寬度為2μm~20μm,所述引線電極的高度為5μm~10μm。
在其中一個實施例中,所述基底還包括設置于所述基底之上的基質層,所述第一區域和所述第二區域均位于所述基質層。
在其中一個實施例中,還包括遮光層,所述遮光層位于所述基底的邊緣,所述引線電極形成于所述基質層遠離所述遮光層的一側。
在其中一個實施例中,所述第一導電網格和/或所述第二導電網格的網格形狀均為規則網格或者隨機網格。
上述透明導電膜,在基底的第一區域開設第一網格凹槽,將導電材料填充于第一網格凹槽形成第一導電網格,構成透明導電層,在位于基底邊緣的第二區域形成引線電極,在透明導電層與第二區域相交處的導電材料的端部形成的節點,并將該節點與引線電極導電材料的端點直接電連接。如此,通過在基底的第一區域開設第一網格凹槽,將導電材料填充于第一網格凹槽以形成第一導電網格,從而構成透明導電層,再在第二區域布設引線電極,與此同時透明導電層與第二區域相交處的導電材料的端部會形成節點,并直接與引線電極導電材料的端點電連接,簡化制作工藝,導電膜的導電性能好,提高良品率。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例一中的透明導電膜的結構示意圖;
圖2為圖1中A處的放大結構示意圖;
圖3為圖1所示透明導電膜的另一視角結構示意圖;
圖4為本實用新型實施例二中的透明導電膜的結構示意圖;
圖5為本實用新型實施例三中的透明導電膜的結構示意圖;
圖6為本實用新型實施例四中的透明導電膜的結構示意圖;
圖7為圖1所示透明導電膜的對準標記的結構示意圖;
圖8為圖7中B處的放大示意圖。
具體實施方式
下面結合附圖和具體實施例對本實用新型做進一步說明。
如圖1、圖2和圖3所示,在實施例一中,一種透明導電膜,包括基底110、透明導電層120和引線電極130。基底110包括第一區域112和位于基底110邊緣的第二區域114,透明導電層120埋入設置于第一區域112,引線電極130形成于第二區域114。其中,透明導電層120包括第一網格凹槽,以及由填充于第一網格凹槽的導電材料形成的第一導電網格122;引線電極130包括含有導電材料的第二導電網格132。透明導電層120與第二區域114相交處的導電材料的端部形成節點124,并與對應的引線電極130的導電材料的端點直接電連接。具體如圖3所示,第一區域112位于基底110上方的中間區域,第二區域114位于基底110兩邊的邊緣區域。
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