[實用新型]CMOS影像傳感器有效

申請號：	201320129306.8	申請日：	2013-03-20
公開（公告）號：	CN203134799U	公開（公告）日：	2013-08-14
發明（設計）人：	肖海波;李全寶;費孝愛	申請（專利權）人：	豪威科技（上海）有限公司
主分類號：	H01L27/146	分類號：	H01L27/146
代理公司：	上海思微知識產權代理事務所(普通合伙) 31237	代理人：	鄭瑋
地址：	201210 上海市***	國省代碼：	上海;31
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摘要：
搜索關鍵詞：	cmos 影像傳感器
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【權利要求書】：

1.一種CMOS影像傳感器，其特征在于，包括：硅襯底；形成于所述硅襯底中的光電二極管組；所述光電二極管組包括：攝取紅外光的紅外光光電二極管，位于所述紅外光光電二極管上的、攝取紅光的紅光光電二極管，位于所述紅光光電二極管上的、攝取綠光的綠光光電二極管，位于所述綠光光電二極管上的、攝取藍光的藍光光電二極管。

2.如權利要求1所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，所述紅外光光電二極管的結深為：大于2微米且小于等于5微米。

3.如權利要求1所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，所述紅光光電二極管的結深為：大于0.6微米且小于等于2微米。

4.如權利要求1所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，所述綠光光電二極管的結深為：大于0.2微米且小于等于0.6微米。

5.如權利要求1所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，所述藍光光電二極管的結深為：大于0微米且小于等于0.2微米。

6.如權利要求1至5中的任一項所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，所述紅外光光電二極管、紅光光電二極管、綠光光電二極管及藍光光電二極管分別與行選通器連接。

7.如權利要求6所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，所述紅外光光電二極管、紅光光電二極管、綠光光電二極管及藍光光電二極管均通過轉移門管和浮柵與行選通器連通。

8.如權利要求1至5中的任一項所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，還包括形成于所述硅襯底上的金屬連線層。

9.如權利要求8所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，還包括形成于所述金屬連線層上的金屬遮蔽層，且所述金屬遮蔽層位于所述光電二極管組兩側。

10.如權利要求1至5中的任一項所述的CMOS影像傳感器，其特征在于，所述光電二極管組的數量為一個或者多個。

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