[實用新型]一種高頻地波雷達多通道相干頻率合成器

有效

• 申請號: 201320118836.2
• 申請日: 2013-03-15
• 公開（公告）號: CN203133271U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發明（設計）人: 萬顯榮;方亮
• 申請（專利權）人: 武漢大學
• 主分類號: G01S7/02
• 分類號: G01S7/02
• 代理公司: 武漢科皓知識產權代理事務所(特殊普通合伙) 42222
• 代理人: 魯力

1.一種高頻地波雷達多通道相干頻率合成器，其特征在于，包括：包含有多通道高速DAC模塊的波形產生電路；包含有高速SRAM模塊的波形數據緩存電路；包含有ARM芯片和FPGA芯片的主控電路；所述波形產生電路與主控電路和波形數據緩存電路均相連，主控電路與波形數據緩存電路相連。

2.根據權利要求1所述的一種高頻地波雷達多通道相干頻率合成器，其特征在于，所述波形產生電路包括高速LVDS驅動電路、多通道高速DAC模塊、差分轉單端電路和加法器；高速LVDS驅動電路與多通道高速DAC模塊的數據輸入端口相連，FPGA芯片與多通道高速DAC模塊的配置端口相連，多通道高速DAC模塊的模擬輸出端連接差分轉單端電路輸入端，差分轉單端電路輸出端既連接加法器的輸入端又能夠單獨輸出單頻信號，加法器輸出多頻信號。

3.根據權利要求2所述的一種高頻地波雷達多通道相干頻率合成器，其特征在于，所述波形數據緩存電路包括四片SRAM模塊，該四片SRAM模塊的地址、數據和控制總線同時與FPGA芯片相連，同時四片SRAM模塊的數據總線同時與高速LVDS驅動電路相連。

4.根據權利要求3所述的一種高頻地波雷達多通道相干頻率合成器，其特征在于，所述主控電路包括FPGA芯片、ARM芯片和FLASH存儲器；所述ARM芯片的地址、數據和控制總線同時與FPGA芯片相連，且ARM芯片外擴FLASH存儲器；FPGA芯片內部包括SRAM接口模塊和DAC接口模塊。