[實用新型]一種共面波導饋電的方向圖可重構平面單極子天線

有效

• 申請號: 201320108838.3
• 申請日: 2013-03-11
• 公開（公告）號: CN203312449U
• 公開（公告）日: 2013-11-27
• 發明（設計）人: 胡斌杰;黃俊杰
• 申請（專利權）人: 華南理工大學
• 主分類號: H01Q1/38
• 分類號: H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q3/24
• 代理公司: 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102
• 代理人: 何淑珍

1.一種共面波導饋電的方向圖可重構平面單極子天線，其特征在于包括：金屬鍍層、兩個微電子機械系統（MEMS）開關和介質基板（4），其中，所述金屬鍍層包括輻射貼片、共面波導饋線（3）、共面波導地板；所述輻射貼片包括矩形輻射貼片（1）、半圓形輻射貼片（2）；所述共面波導地板包括第一共面波導地板（5）、第二共面波導地板（6）、第三共面波導地板（7）、第四共面波導地板（8）；所述微電子機械系統（MEMS）開關包括第一MEMS開關（9）和第二MEMS開關（10）；所述金屬鍍層和所述兩個MEMS開關位于所述介質基板（4）的頂面；所述共面波導饋線（3）與所述第一共面波導地板（5）之間存在第一縫隙（11），所述第一共面波導地板（5）與所述第二共面波導地板（6）之間存在第二縫隙（12），所述共面波導饋線（3）與所述第三共面波導地板（7）之間存在第三縫隙（13），所述第三共面波導地板（7）與所述第四共面波導地板（8）之間存在第四縫隙（14）；所述第一MEMS開關（9）連接所述第一共面波導地板（5）和所述第二共面波導地板（6），所述第二MEMS開關（10）連接所述第三共面波導地板（7）和所述第四共面波導地板（8）。

2.根據權利要求1所述的共面波導饋電的方向圖可重構平面單極子天線，其特征在于，所述金屬鍍層的材料是金、銀或銅。

3.根據權利要求1所述的共面波導饋電的方向圖可重構平面單極子天線，其特征在于，所述矩形輻射貼片（1）、所述半圓形輻射貼片（2）及所述共面波導饋線（3）三者依次相連，同時三者的形狀都是軸對稱圖形，對稱軸為Z軸。

4.根據權利要求1所述的共面波導饋電的方向圖可重構平面單極子天線，其特征在于，所述第一共面波導地板（5）與所述第三共面波導地板（7）的形狀和大小相同，所述第二共面波導地板（6）與所述第四共面波導地板（8）的形狀和大小相同。

5.根據權利要求1所述的共面波導饋電的方向圖可重構平面單極子天線，其特征在于，所述第一縫隙（11）與所述第三縫隙（13）的寬度相同，所述第二縫隙（12）與所述第四縫隙（14）的寬度相同。

6.根據權利要求1所述的共面波導饋電的方向圖可重構平面單極子天線，其特征在于，所述第一共面波導地板（5）與所述第三共面波導地板（7）分別位于共面波導饋線（3）的兩側并且關于共面波導饋線（3）對稱，所述第二共面波導地板（6）與所述第四共面波導地板（8）分別位于共面波導饋線（3）的兩側并且關于共面波導饋線（3）對稱。