[實用新型]擴散爐管有效
| 申請號: | 201320102132.6 | 申請日: | 2013-03-06 |
| 公開(公告)號: | CN203192776U | 公開(公告)日: | 2013-09-11 |
| 發明(設計)人: | 張朝坤 | 申請(專利權)人: | 深圳深愛半導體股份有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/673 | 分類號: | H01L21/673 |
| 代理公司: | 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224 | 代理人: | 吳平 |
| 地址: | 518118 廣東省*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 擴散 爐管 | ||
技術領域
本實用新型涉及一種半導體器件制造所使用的裝置,特別是涉及一種擴散爐管。
背景技術
擴散爐管是半導體器件及大規模集成電路制造過程中用于對硅片進行擴散、氧化、退火、合金及燒結等工藝的一種加工裝置。在對硅片進行加工時,硅片一般是放置于硅舟中,硅舟放置于擴散爐管內。然而在加工過程中,硅舟兩端的硅片容易受到氣流的影響而導致加工出來的硅片技術參數一致性較差,硅舟兩端的硅片與硅舟中間的硅片技術參數差異較大,甚至會導致加工出來的硅片出現不合格。因此,常用的擴散爐管加工出來的硅片技術參數一致性較差。
實用新型內容
基于此,有必要提供一種使加工出來的硅片技術參數一致性較好的擴散爐管。
一種擴散爐管,所述擴散爐管內設有硅舟,所述硅舟的兩端設有阻擋氣流吹向硅舟內部的擋片。
在其中一個實施例中,所述擋片的數量為多個。
在其中一個實施例中,所述多個擋片相互連接在一起。
在其中一個實施例中,所述擋片為圓形。
在其中一個實施例中,所述擴散爐管內的硅舟的數量為多個,所述多個硅舟首尾相接排列在所述擴散爐管內。
在其中一個實施例中,所述擋片下方設有支撐所述擋片的支撐柱。
上述擴散爐管通過在硅舟兩端設置阻擋氣流吹向硅舟內部的擋片來減小硅舟兩端的硅片受到的氣流的影響,提高加工出來的硅片的技術參數的一致性,從而提高硅片質量。
附圖說明
圖1為一個實施例的硅舟的立體圖;
圖2為圖1所示硅舟應用于擴散爐內時的示意圖。
具體實施方式
請參考圖1,一個實施方式提供了一種擴散爐管110。該擴散爐管110內設有硅舟120,該硅舟120的兩端設有阻擋氣流吹向硅舟120內部的擋片130。擴散爐管110內的硅舟120的數量可以為多個,在該實施例中,硅舟120的數量為兩個。這些硅舟120首尾相接排列在擴散爐管110內。排在最靠前的硅舟120的前端與排在最靠后的硅舟120的后端均設有擋片130。這些擋片130可以阻擋氣流吹向硅舟120內部,從而減小硅舟120兩端的硅片受到氣流的影響。
請參考圖2,該擴散爐管110內的擋片130的數量可以為多個。在該實施例中,擋片130的數量為三個,這些擋片130相互連接在一起。在該實施例中,這些擋片130均為圓形,當然也可以為其它合適的形狀。擋片130下方設有支撐擋片130的支撐柱132。這些支撐柱132可以將擋片130抬高一定的高度,且有利于擋片130穩定的設置與擴散爐管110內。
該擴散爐管110通過在硅舟120兩端設置的阻擋氣流吹向硅舟120內部的擋片130來減小硅舟120兩端的硅片受到的氣流的影響,這樣就可以提高加工出來的硅片的技術參數的一致性,從而提高硅片質量。因此,該擴散爐管110具有使加工出來的硅片技術參數一致性較好的優點。
以上所述實施例僅表達了本實用新型的幾種實施方式,其描述較為具體和詳細,但并不能因此而理解為對本實用新型專利范圍的限制。應當指出的是,對于本領域的普通技術人員來說,在不脫離本實用新型構思的前提下,還可以做出若干變形和改進,這些都屬于本實用新型的保護范圍。因此,本實用新型專利的保護范圍應以所附權利要求為準。
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H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
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H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





