[實用新型]一種半導體的堆疊封裝結構

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201320090982.9
• 申請日: 2013-02-28
• 公開（公告）號: CN203134791U
• 公開（公告）日: 2013-08-14
• 發(fā)明（設計）人: 張黎;賴志明;陳棟;陳錦輝
• 申請（專利權）人: 江陰長電先進封裝有限公司
• 主分類號: H01L25/065
• 分類號: H01L25/065;H01L23/48
• 代理公司: 南京經緯專利商標代理有限公司 32200
• 代理人: 王斌

1.一種半導體的堆疊封裝結構，包括芯片和硅基轉接板（300），所述芯片包括芯片Ⅰ（100）和芯片Ⅱ（200），所述芯片Ⅰ（100）、芯片Ⅱ（200）和硅基轉接板（300）上下依次連接，所述芯片Ⅰ（100）包括芯片本體Ⅰ（101）和設置在芯片本體Ⅰ（101）背面的帶有錫帽Ⅰ（103）的金屬凸點Ⅰ（102），

其特征在于：所述芯片Ⅱ（200）包括硅基載體（201）、正面絕緣層Ⅱ（211）、正面再布線金屬層Ⅱ（212）、正面保護層Ⅱ（213）、背面絕緣層Ⅱ（221）、背面再布線金屬層Ⅱ（222）、背面保護層Ⅱ（223），所述硅基載體（201）的四周設置包封區(qū)域Ⅱ（203），所述包封區(qū)域Ⅱ（203）內設置填充金屬的通孔Ⅱ（204），

所述正面絕緣層Ⅱ（211）設置在硅基載體（201）和包封區(qū)域Ⅱ（203）的正面，所述正面再布線金屬層Ⅱ（212）設置在正面絕緣層Ⅱ（211）上，所述正面保護層Ⅱ（213）設置在正面絕緣層Ⅱ（211）和正面再布線金屬層Ⅱ（212）上，并于正面再布線金屬層Ⅱ（212）上形成若干個正面保護層開口Ⅱ（214），所述正面再布線金屬層Ⅱ（212）與芯片Ⅰ（100）通過帶有錫帽Ⅰ（103）的金屬凸點Ⅰ（102）連接，所述錫帽Ⅰ（103）設置在正面保護層開口Ⅱ（214）內，

所述背面絕緣層Ⅱ（221）設置在硅基載體（201）和包封區(qū)域Ⅱ（203）的背面，所述背面再布線金屬層Ⅱ（222）設置在背面絕緣層Ⅱ（221）下，所述背面保護層Ⅱ（223）設置在背面絕緣層Ⅱ（221）和背面再布線金屬層Ⅱ（222）下，并于背面再布線金屬層Ⅱ（222）下形成若干個背面保護層開口Ⅱ（224），所述背面保護層開口Ⅱ（224）內設置帶有錫帽Ⅱ（226）的金屬凸點Ⅱ（225），

所述正面再布線金屬層Ⅱ（212）與背面再布線金屬層Ⅱ（222）通過通孔Ⅱ（204）內的金屬連接，

所述硅基轉接板（300）包括硅基載體（301）、正面絕緣層Ⅲ（311）、正面再布線金屬層Ⅲ（312）、正面保護層Ⅲ（313）、背面絕緣層Ⅲ（321）、背面再布線金屬層Ⅲ（322）、背面保護層Ⅲ（323），所述硅基載體（301）的四周設置包封區(qū)域Ⅲ（303），所述包封區(qū)域Ⅲ（303）內設置填充金屬的通孔Ⅲ（304），

所述正面絕緣層Ⅲ（311）設置在硅基載體（301）和包封區(qū)域Ⅲ（303）的正面，所述正面再布線金屬層Ⅲ（312）設置在正面絕緣層Ⅲ（311）上，所述正面保護層Ⅲ（313）設置在正面絕緣層Ⅲ（311）和正面再布線金屬層Ⅲ（312）上，并于正面再布線金屬層Ⅲ（312）上形成若干個正面保護層開口Ⅲ（314），所述正面再布線金屬層Ⅲ（312）與芯片Ⅱ（200）通過帶有錫帽Ⅱ（226）的金屬凸點Ⅱ（225）連接，所述錫帽Ⅱ（226）設置在正面保護層開口Ⅲ（314）內，

所述背面絕緣層Ⅲ（321）設置在硅基載體（301）和包封區(qū)域Ⅲ（303）的背面，所述背面再布線金屬層Ⅲ（322）設置在背面絕緣層Ⅲ（321）下，所述背面保護層Ⅲ（323）設置在背面絕緣層Ⅲ（321）和背面再布線金屬層Ⅲ（322）下，并于背面再布線金屬層Ⅲ（322）下形成若干個背面保護層開口Ⅲ（324），?

所述正面再布線金屬層Ⅲ（312）與背面再布線金屬層Ⅲ（322）通過通孔Ⅲ（304）內的金屬連接。

2.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體的堆疊封裝結構，其特征在于：所述金屬凸點Ⅰ（102）陣列排布。

3.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體的堆疊封裝結構，其特征在于：所述芯片Ⅱ（200）有數(shù)個，上下依次通過帶有錫帽Ⅱ（226）的金屬凸點Ⅱ（225）堆疊連接。

4.根據(jù)權利要求1或3所述的一種半導體的堆疊封裝結構，其特征在于：所述金屬凸點Ⅱ（225）陣列排布。

5.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體的堆疊封裝結構，其特征在于：所述背面保護層開口Ⅲ（324）內設置陣列排布的錫球Ⅲ（325）。

6.根據(jù)權利要求5所述的一種半導體的堆疊封裝結構，其特征在于：所述錫球Ⅲ（325）陣列排布。

7.根據(jù)權利要求1所述的一種半導體的堆疊封裝結構，其特征在于：所述背面保護層開口Ⅲ（324）內設置陣列排布的金屬柱Ⅲ（326），所述金屬柱Ⅲ（326）的頂端設置錫帽Ⅲ（327）。

8.根據(jù)權利要求7所述的一種半導體的堆疊封裝結構，其特征在于：所述金屬柱Ⅲ（326）陣列排布。