[實(shí)用新型]一種平板顯示屏用面板的電極裝置有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320085135.3 | 申請(qǐng)日: | 2013-02-25 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203205386U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-09-18 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 成奎棟 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 伊歐激光科技(蘇州)有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | H01L21/48 | 分類(lèi)號(hào): | H01L21/48 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 215217 江蘇省蘇州市吳江經(jīng)濟(jì)*** | 國(guó)省代碼: | 江蘇;32 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 平板 顯示屏 面板 電極 裝置 | ||
技術(shù)領(lǐng)域
本實(shí)用新型涉及一種電極裝置,尤其是一種平板顯示屏用面板的電極裝置。
背景技術(shù)
現(xiàn)有技術(shù)中大部分的激光器所射出的激光其透過(guò)性很強(qiáng),所以在電極成形過(guò)程中很容易出現(xiàn)激光滲透到像素層以至損傷最后導(dǎo)致產(chǎn)品性能下降甚至裂化等問(wèn)題。
發(fā)明內(nèi)容
本實(shí)用新型目的是:提供一種結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,可以在電極形成過(guò)程中避免像素層損傷的平板顯示屏用面板的電極裝置。
本實(shí)用新型的技術(shù)方案是:一種平板顯示屏用面板的電極裝置,其特征在于,包括一對(duì)平行放置的基板層、設(shè)在所述上層基板層上的透明電極層、設(shè)在兩基板層之間的黑底層,與下層基板層固定連接的軸臺(tái)以及位于透明電極層一側(cè)的激光器。
優(yōu)選地,所述透明電極層為ITO電極層,ZnO電極層或SnO電極層。
優(yōu)選地,所述黑底層為具有多個(gè)RGB像素排列的黑底層。
優(yōu)選地,所述基板層為玻璃基板層。
優(yōu)選地,所述激光器為CO2激光器。
本實(shí)用新型的優(yōu)點(diǎn)是:
1.在電極成形過(guò)程中不會(huì)透過(guò)到有激光像素的黑底層,可以防止損傷并實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性能的產(chǎn)品。
2.本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單,且具有迅速環(huán)保功能。
附圖說(shuō)明
下面結(jié)合附圖及實(shí)施例對(duì)本實(shí)用新型作進(jìn)一步描述:
圖1為本實(shí)用新型結(jié)構(gòu)示意圖;
其中:1基板層,2透明電極層,3黑底層,4軸臺(tái),5激光器。
具體實(shí)施方式
實(shí)施例:參照?qǐng)D1所示,一種平板顯示屏用面板的電極裝置,其特征在于,包括一對(duì)平行放置的基板層1、設(shè)在所述上層基板層1上的透明電極層2、設(shè)在兩基板層1之間的黑底層3,與下層基板層固定連接的軸臺(tái)4以及位于透明電極層2一側(cè)的激光器5,該透明電極層2為ITO電極層,ZnO電極層或SnO電極層,該黑底層3為具有多個(gè)RGB像素排列的黑底層,該基板層1為玻璃基板層,該激光器5為CO2激光器。
本實(shí)用新型在電極成形過(guò)程中不會(huì)透過(guò)到有激光像素的黑底層3,可以防止損傷并實(shí)現(xiàn)了穩(wěn)定性能的產(chǎn)品,同時(shí)使用CO2激光器具有迅速環(huán)保的功能。
上述實(shí)施例只為說(shuō)明本實(shí)用新型的技術(shù)構(gòu)思及特點(diǎn),其目的在于讓熟悉此項(xiàng)技術(shù)的人能夠了解本實(shí)用新型的內(nèi)容并據(jù)以實(shí)施,并不能以此限制本實(shí)用新型的保護(hù)范圍。凡根據(jù)本實(shí)用新型主要技術(shù)方案的精神實(shí)質(zhì)所做的修飾,都應(yīng)涵蓋在本實(shí)用新型的保護(hù)范圍之內(nèi)。
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H01L 半導(dǎo)體器件;其他類(lèi)目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專(zhuān)門(mén)適用于制造或處理半導(dǎo)體或固體器件或其部件的方法或設(shè)備
H01L21-02 .半導(dǎo)體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專(zhuān)門(mén)適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個(gè)器件所使用的除半導(dǎo)體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過(guò)程中的測(cè)試或測(cè)量
H01L21-67 .專(zhuān)門(mén)適用于在制造或處理過(guò)程中處理半導(dǎo)體或電固體器件的裝置;專(zhuān)門(mén)適合于在半導(dǎo)體或電固體器件或部件的制造或處理過(guò)程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內(nèi)或其上形成的多個(gè)固態(tài)組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





