[實用新型]阻抗受控、低損耗的單端過孔結構

有效

• 申請號: 201320080752.4
• 申請日: 2013-02-21
• 公開（公告）號: CN203120286U
• 公開（公告）日: 2013-08-07
• 發明（設計）人: 王紅飛;曾志軍;陳蓓
• 申請（專利權）人: 廣州興森快捷電路科技有限公司
• 主分類號: H05K1/02
• 分類號: H05K1/02;H05K1/11
• 代理公司: 廣州華進聯合專利商標代理有限公司 44224
• 代理人: 謝偉;曾旻輝

1.一種阻抗受控、低損耗的單端過孔結構，設置于在絕緣介質層上、下面覆蓋有傳輸線的多層板上，其特征在于，該單端過孔結構包括一個信號過孔和兩個接地參考孔，絕緣介質層中具有兩個參考層，兩參考層上均設有反焊盤，信號過孔與接地參考孔均上下貫穿絕緣介質層，信號過孔位于所述反焊盤的中心，且信號過孔連接絕緣介質層上的傳輸線，每個接地參考孔均連接兩參考層，兩接地參考孔以信號過孔為中心呈對稱設置，且兩接地參考孔孔壁間距大于反焊盤的直徑。

2.根據權利要求1所述的阻抗受控、低損耗的單端過孔結構，其特征在于，所述反焊盤單邊環寬為0.15mm—0.5mm。

3.根據權利要求1或2所述的阻抗受控、低損耗的單端過孔結構，其特征在于，兩接地參考孔的中軸線與信號過孔的中軸線位于同一平面，且兩接地參考孔和信號過孔的孔徑相同。

4.根據權利要求3所述的阻抗受控、低損耗的單端過孔結構，其特征在于，單端過孔的阻抗Z₀與信號過孔孔徑d、接地參考孔孔壁間距D滿足以下關系：

Z0=60ϵlnDd]]>

其中，ε為絕緣介質層的介電常數。

5.根據權利要求4所述的阻抗受控、低損耗的單端過孔結構，其特征在于，信號過孔孔徑d為0.1mm—0.5mm，接地參考孔孔壁間距D為0.5mm—3mm。