[實用新型]陣列基板及顯示裝置有效
| 申請號: | 201320067813.3 | 申請日: | 2013-02-05 |
| 公開(公告)號: | CN203178636U | 公開(公告)日: | 2013-09-04 |
| 發明(設計)人: | 許宗義 | 申請(專利權)人: | 深圳市華星光電技術有限公司 |
| 主分類號: | G02F1/1343 | 分類號: | G02F1/1343;G02F1/1339;G02F1/136 |
| 代理公司: | 深圳市威世博知識產權代理事務所(普通合伙) 44280 | 代理人: | 何青瓦 |
| 地址: | 518000 廣東省深圳市光明新區公*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 陣列 顯示裝置 | ||
技術領域
本實用新型涉及液晶顯示器領域,特別是涉及一種陣列基板及顯示裝置。
背景技術
液晶面板通常包括彩膜基板和陣列基板。液晶面板的生產工序通常包括陣列制程、組立制程以及模組制程。陣列制程主要包括陣列基板的生產過程。組立制程主要包括將陣列基板和彩膜基板貼合在一起的過程。模組制程則包括將FPC(Flexible?Printed?Circuit,柔性電路板)等電路進行組裝的過程。
陣列基板上形成呈陣列排布的TFT(Thin-Film?Transistor,薄膜晶體管)、電容和像素電極,以及形成于外圍的驅動電極。驅動電極控制TFT的通斷電,因此驅動電極連接TFT和FPC。組立制程中,將陣列基板和彩膜基板貼合在一起的步驟之前還包括在陣列基板和彩膜基板的邊框處封膠的步驟。具體來說,封膠步驟包括灌膠和固化兩個步驟。
OLED(Organic?Electroluminesence?Display,有機電激光顯示)面板作為液晶面板的未來發展新趨勢,其對水汽和氧氣等物質非常敏感,因此其封裝條件較苛刻。
現有技術中,OLED面板的封裝工藝為灌膠后采用激光烘烤的方法使封框膠固化。激光固化的溫度達1000℃甚至更高。然而,封框膠的涂覆位置與驅動電極的排布位置部分重合,若封框膠與驅動電極直接接觸則固化過程中極易發生封框膠自驅動電極的位置處發生剝離的現象。
實用新型內容
本實用新型主要解決的技術問題是提供一種改善封框效果的陣列基板及顯示裝置。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的一個技術方案是:提供一種陣列基板,包括基板、驅動電極、第一電容、源極、漏極和第一介電層,第一電容包括第一電容電極和第二電容電極,源極、漏極、驅動電極和第一電容電極形成于基板上,第一介電層覆蓋源極、漏極、驅動電極和第一電容電極,第一介電層包括覆蓋第一電容電極的第一區域和覆蓋驅動電極的第二區域,第二區域的厚度大于第一區域的厚度,第二區域用于在其上形成玻璃熔膠,第二電容電極形成于第一區域上。
其中,第一區域的厚度為200~1000埃,第二區域的厚度為1000~8000埃。
其中,陣列基板進一步包括像素電極、有機材料層和間隔裝置,像素電極形成于第一介質層上且連接源極,有機材料層位于第一介電層上且覆蓋第二電極板,像素電極裸露出有機材料層,間隔裝置于有機材料層上凸出設置。
其中,第二電容電極是金屬材料或透明導電材料。
其中,陣列基板進一步包括第二介電層、半導體層、第三介電層、柵極、第四介電層和第二電容,第二電容包括第三電容電極和第四電容電極,第二介電層形成于基板上,半導體層和第三電容電極位于第二介電層和第三介電層之間,柵極和第四電容電極位于第三介電層和第四介電層之間,源極和柵極均與半導體層連接。
為解決上述技術問題,本實用新型采用的另一個技術方案是:提供一種顯示裝置,顯示裝置包括陣列基板、彩膜基板和由玻璃熔膠圍設的膠框;膠框位于陣列基板和彩膜基板之間;陣列基板包括基板、驅動電極、第一電容、源極、漏極和第一介電層,第一電容包括第一電容電極和第二電容電極,源極、漏極、驅動電極和第一電容電極形成于基板上,第一介電層覆蓋源極、漏極、驅動電極和第一電容電極,第一介電層包括覆蓋第一電容電極的第一區域和覆蓋驅動電極的第二區域,第二區域的厚度大于第一區域的厚度,第二區域用于在其上形成玻璃熔膠,第二電容電極形成于第一區域上。
其中,第一區域的厚度為200~1000埃,第二區域的厚度為1000~8000埃。
其中,陣列基板進一步包括像素電極、有機材料層和間隔裝置,像素電極形成于第一介質層上且連接源極,有機材料層位于第一介電層上且覆蓋第二電極板,像素電極裸露出有機材料層,間隔裝置于有機材料層上凸出設置。
其中,第二電容電極是金屬材料或透明導電材料。
其中,陣列基板進一步包括第二介電層、半導體層、第三介電層、柵極、第四介電層和第二電容,第二電容包括第三電容電極和第四電容電極,第二介電層形成于基板上,半導體層和第三電容電極位于第二介電層和第三介電層之間,柵極和第四電容電極位于第三介電層和第四介電層之間,源極和柵極均與半導體層連接。
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