[實用新型]一種石墨板有效
| 申請號: | 201320064725.8 | 申請日: | 2013-02-04 |
| 公開(公告)號: | CN203071117U | 公開(公告)日: | 2013-07-17 |
| 發明(設計)人: | 王家道;曾德棟;蔡少坤;傅登峰;吳衛平;付志強;朱志文 | 申請(專利權)人: | 海南英利新能源有限公司 |
| 主分類號: | H01L31/18 | 分類號: | H01L31/18;H01L21/67 |
| 代理公司: | 北京集佳知識產權代理有限公司 11227 | 代理人: | 魏曉波 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 石墨 | ||
技術領域
本實用新型涉及太陽能電池技術領域,特別涉及一種石墨板。
背景技術
太陽能是各種可再生能源中最重要的基本能源,生物質能、風能、海洋能和水能等都來自太陽能,廣義地說,太陽能包含以上各種可再生能源。太陽能作為可再生能源的一種,則是指太陽能的直接轉化和利用。通過轉換裝置把太陽輻射能轉換成熱能利用的屬于太陽能熱能利用技術,再利用熱能進行發電的成為太陽能發電,也屬于這一技術領域;通過轉換裝置把太陽輻射能轉換成電能利用的屬于太陽能管發電技術,光電轉換裝置通常是利用半導體器件的光伏效應原理進行光電轉換,因此又稱太陽能光伏技術。
在太陽能電池板生產過程中,PECVD(plasma?enhanced?chemical?vapor?deposition,等離子增強化學氣相沉積)是一種太陽能電池生產制程中的鍍膜方式,其工作原理為:借助微波或射頻等使含有薄膜組成原子的氣體電離,在局部形成等離子體,而等離子體化學活性很強,很容易發生反應,在基片上沉積出所期望的薄膜。
石墨板是鍍膜過程中用于承載硅片的載體,目前,鍍膜使用的石墨板的邊框為實體結構。在鍍膜沉積過程中,由于沉積物的總量是一定的,當邊框為實體結構,使得大部分沉積物沉積在石墨板的實體邊框上,而只有小部分沉積在硅片上,這導致靠近邊框的位置處沉積速率較低,沉積物相對較少。上述問題導致靠近邊框位置處的鍍膜的膜厚相對較薄,出現紅邊問題,即整個電池片產生色差,且均勻性較差,影響電池片的質量。
因此,如何提供一種石墨板,以提高加工后的太陽能電池片的質量,是本領域技術人員目前需要解決的技術問題。
實用新型內容
本實用新型的目的是提供一種石墨板,以提高加工后的太陽能電池片的質量。
為解決上述技術問題,本實用新型提供如下技術方案:
一種石墨板,包括用于卡設太陽能電池片的邊框,其中,所述邊框中至少有一條實體邊上開設有若干通孔。
優選地,上述的石墨板中,所述通孔為方形孔、圓形孔或/和菱形孔。
優選地,上述的石墨板中,所述邊框為長方形邊框,且所述邊框的四條實體邊上均開設有所述通孔。
優選地,上述的石墨板中,所述邊框的長邊上沿長度方向開設有158mm*14mm的第一方形孔和69mm*22mm的第二方形孔。
優選地,上述的石墨板中,所述第一方形孔的長邊和所述第二方形孔的長邊均平行于所述邊框的長邊。
優選地,上述的石墨板中,所述第一方形孔為多個,且任一所述第一方形孔的中心到所述邊框的長邊外沿的距離均為74mm,所述第二方形孔為多個,且任一所述第二方形孔的中心到所述邊框的長邊外沿的距離均為41mm。
優選地,上述的石墨板中,所述邊框的短邊上開設有158mm*14mm的第三方形孔,且所述第三方形孔的長邊平行于所述邊框的短邊。
優選地,上述的石墨板中,所述第三方形孔為多個,且任一所述第三方形孔的中心到所述邊框的短邊的外沿的距離均為36mm。
優選地,上述的石墨板中,所述通孔沿所述邊框均勻分布。
從上述的技術方案可以看出,本實用新型提供了一種石墨板,包括用于卡設太陽能電池片的邊框,其中,該邊框中至少有一條實體邊上開設有若干通孔。本實用新型通過在邊框上開設若干通孔,使得在沉積物沉積過程中,大部分沉積物沉積在硅片上,相應地,小部分沉積物沉積在邊框上,從而避免了因靠近邊框位置處的鍍膜的膜厚相對較薄,而出現的紅邊問題,即減低了整個電池片產生的色差問題,因而提高了電池片的質量。
附圖說明
圖1為本實用新型實施例提供的石墨板的結構示意圖。
具體實施方式
本實用新型核心是提供一種石墨板,以提高加工后的太陽能電池片的質量。
為了使本技術領域的人員更好地理解本實用新型方案,下面結合附圖和實施方式對本實用新型作進一步的詳細說明。
請參考圖1所示,本實用新型公開了一種石墨板,包括用于卡設太陽能電池片的邊框1,其中,該邊框1中至少有一條實體邊上開設有若干通孔。
本實用新型通過在邊框1上開設若干通孔,使得在沉積物沉積過程中,大部分沉積物沉積在硅片上,相應地,小部分沉積物沉積在邊框1上,從而避免了因靠近邊框1位置處的鍍膜的膜厚相對較薄,而出現的紅邊問題,即降低了整個電池片產生的色差問題,因而提高了電池片的質量。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L31-00 對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射,或微粒輻射敏感的,并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或者專門適用于通過這樣的輻射進行電能控制的半導體器件;專門適用于制造或處理這些半導體器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半導體本體為特征的
H01L31-04 .用作轉換器件的
H01L31-08 .其中的輻射控制通過該器件的電流的,例如光敏電阻器
H01L31-12 .與如在一個共用襯底內或其上形成的,一個或多個電光源,如場致發光光源在結構上相連的,并與其電光源在電氣上或光學上相耦合的





