[實用新型]有機發光二極管顯示器的像素排列結構有效
| 申請號: | 201320053151.4 | 申請日: | 2013-01-30 |
| 公開(公告)號: | CN203260586U | 公開(公告)日: | 2013-10-30 |
| 發明(設計)人: | 李相信 | 申請(專利權)人: | 三星顯示有限公司 |
| 主分類號: | H01L27/32 | 分類號: | H01L27/32 |
| 代理公司: | 北京英賽嘉華知識產權代理有限責任公司 11204 | 代理人: | 余朦;姚志遠 |
| 地址: | 韓國*** | 國省代碼: | 韓國;KR |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 有機 發光二極管 顯示器 像素 排列 結構 | ||
1.一種有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,包括:?
第一像素,具有與虛擬方塊的中心重合的中心;?
第二像素,與所述第一像素間隔開,并具有在所述虛擬方塊的第一頂點處的中心;以及?
第三像素,與所述第一像素和所述第二像素間隔開,并具有在與所述虛擬方塊的所述第一頂點相鄰的第二頂點處的中心。?
2.如權利要求1所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第二像素包括一對第二像素,且所述第二像素通過所述第一像素彼此間隔開。?
3.如權利要求2所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第三像素包括一對第三像素,且所述第三像素通過所述第一像素彼此間隔開。?
4.如權利要求3所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,所述第二像素和所述第三像素包圍在所述虛擬方塊內的所述第一像素。?
5.如權利要求4所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第一像素、所述第二像素和所述第三像素具有多邊形形狀,且所述第二像素和所述第三像素具有比所述第一像素更大的面積。?
6.如權利要求5所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,?其特征在于,?
所述第一像素具有四邊形形狀,且所述第二像素和所述第三像素具有六邊形或八邊形形狀。?
7.如權利要求6所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,所述第二像素和所述第三像素具有八邊形形狀。?
8.如權利要求7所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第二像素和所述第三像素具有相同的面積,且?
所述第一像素和所述第二像素之間的距離、所述第一像素和所述第三像素之間的距離和所述第二像素和所述第三像素之間的距離是相同的第一長度。?
9.如權利要求8所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第一像素包括多個第一像素,?
所述多個第一像素具有相同的四邊形形狀,并且?
相鄰的所述多個第一像素之間的距離是比所述第一長度更長的第二長度。?
10.如權利要求6所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第二像素具有比所述第三像素更大的面積,?
所述第二像素和所述第三像素之間的距離是第一長度,且?
所述第一像素和所述第二像素之間的距離以及所述第一像素和所述第三像素之間的距離是相同的第二長度。?
11.如權利要求10所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第一像素包括多個第一像素,?
所述多個第一像素具有相同的四邊形形狀,且?
相鄰的所述多個第一像素之間的距離是比所述第一長度和所述第二長度更長的第三長度。?
12.如權利要求10所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第一像素包括多個第一像素,?
相鄰的所述多個第一像素具有彼此對稱的四邊形形狀,且?
所述相鄰的所述多個第一像素之間的距離是比所述第一長度和所述第二長度更長的第三長度。?
13.如權利要求6所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第一像素包括多個第一像素,且?
相鄰的所述多個第一像素具有彼此對稱的四邊形形狀。?
14.如權利要求13所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,所述第二像素具有比所述第三像素更大的面積。?
15.如權利要求13所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,所述第三像素具有比所述第二像素更大的面積。?
16.如權利要求5所述的有機發光二極管顯示器的像素排列結構,其特征在于,?
所述第一像素具有八邊形形狀,且?
所述第二像素和所述第三像素具有四邊形形狀。?
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L27-00 由在一個共用襯底內或其上形成的多個半導體或其他固態組件組成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共絕緣襯底上形成的無源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有專門適用于整流、振蕩、放大或切換的半導體組件并且至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的;包括至少有一個躍變勢壘或者表面勢壘的無源集成電路單元的
H01L27-14 . 包括有對紅外輻射、光、較短波長的電磁輻射或者微粒子輻射并且專門適用于把這樣的輻射能轉換為電能的,或適用于通過這樣的輻射控制電能的半導體組件的
H01L27-15 .包括專門適用于光發射并且包括至少有一個電位躍變勢壘或者表面勢壘的半導體組件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料結點的熱電元件的;包括有熱磁組件的





