[實用新型]雙極型縱向平面式晶體管

有效

• 申請號: 201320048768.7
• 申請日: 2013-01-30
• 公開（公告）號: CN203179894U
• 公開（公告）日: 2013-09-04
• 發明（設計）人: 李紅偉;吳耀輝
• 申請（專利權）人: 蘇州同冠微電子有限公司
• 主分類號: H01L29/732
• 分類號: H01L29/732;H01L29/06
• 代理公司: 常州佰業騰飛專利代理事務所(普通合伙) 32231
• 代理人: 徐琳淞

1.雙極型縱向平面式晶體管，其特征在于：包括P型半導體襯底(1)；位于P型半導體襯底(1)頂部的N型非本征集電區(2)和摻入P型雜質元素的下隔離層(5)；位于P型半導體襯底(1)上方的本征集電區(4)；位于本征集電區(4)頂部的摻入N型雜質元素且連接非本征集電區(2)的插塞(6)；位于本征集電區(4)頂部的摻入P型雜質元素且與下隔離層(5)連通的上隔離層(7)；位于本征集電區(4)頂部的摻入P型雜質元素的本征基區(8)；位于本征基區(8)頂部的摻入P型雜質的非本征基區(9)；位于本征集電區(4)頂部的第一電介質膜層(10)；位于本征基區(8)頂部的摻入N型雜質的發射區(11)；位于插塞(6)頂部的摻入N型雜質的集電極區(12)；位于發射區(11)和集電極區(12)上方的與第一電介質膜層(10)厚度相等的第二電介質膜層(13)；位于第一電介質膜層(10)和第二電介質膜層(13)中，分別位于發射區(11)、非本征基區(9)、集電極區(12)的區域的引線孔(14)；以及設置在前述引線孔(14)內的金屬布線。

2.根據權利要求1所述的雙極型縱向平面式晶體管，其特征在于：所述非本征集電區(2)的方塊電阻為11～15歐姆/方塊。

3.根據權利要求1所述的雙極型縱向平面式晶體管，其特征在于：所述插塞(6)的方塊電阻為1～3歐姆/方塊。

4.根據權利要求1所述的雙極型縱向平面式晶體管，其特征在于：所述本征基區(8)的方塊電阻為290～310歐姆/方塊。