[實用新型]射頻用陶瓷電容器

有效

• 申請號: 201320039957.8
• 申請日: 2013-01-25
• 公開（公告）號: CN203055681U
• 公開（公告）日: 2013-07-10
• 發明（設計）人: 喬金彪
• 申請（專利權）人: 蘇州斯爾特微電子有限公司
• 主分類號: H01G4/005
• 分類號: H01G4/005;H01G4/232
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

技術領域

本實用新型涉及一種射頻用陶瓷電容器，屬于射頻用電容技術領域。

背景技術

近年來，伴隨著攜帶電話等移動機器的普及、作為個人電腦等的主要部件的半導體元件的高速化及高頻化，對于搭載于此種電了機器中的疊層陶瓷電容器，為了滿足作為旁通電容器的特性，小型、高容量化的要求不斷提高。但存在以下技術問題：

現有射頻用陶瓷電容器，陶瓷電容器體積較大，提高電容量會導致占用電子產品的較大的空間，因此在減小器件體積時增加電容量成為技術難點，且現有射頻用電容的饋入點及接地點設置在固定的位置，故在將天線安裝至電路板時，只能安裝于電路板特定位置，不能靈活設置；

其次，普通陶瓷電容由于其同時具有高硬度的特性，所以質脆，機加工難度大，同時由于其表面平整，不易通過電鍍實現層間導通也難于與其它層有效結合形成多層電路板。因此，如何解決上述技術問題，成為本領域普通技術人員努力的方向。因此，如何解決上述技術問題，成為本領域普通技術人員努力的方向。

發明內容

本實用新型目的是提供一種射頻用陶瓷電容器，該射頻用陶瓷電容器減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化，提高了產品的可靠性和良率；且便于陶瓷電容器機械加工。

為達到上述目的，本實用新型采用的技術方案是：一種射頻用陶瓷電容器，包括氮化鋁基片和氧化鋁基片，此氮化鋁基片和氧化鋁基片之間夾有具有位于同一平面的第一U型導電層、第二U型導電層，此第一U型導電層和第二U型導電層之間電隔離，所述第一U型導電層、第二U型導電層均包括兩個側電極和連接兩個側電極底端的底電極；所述第一U型導電層的一個側電極嵌入由第二U型導電層的側電極和底電極形成的凹槽區內；兩個第一金屬柱依次貫通所述氮化鋁基片、第一U型導電層和氧化鋁基片，兩個第二金屬柱依次貫通所述氮化鋁基片、第二U型導電層和氧化鋁基片；所述氮化鋁基片表面上并位于第一金屬柱、第二金屬柱一端貼覆有用于與電路板電接觸的金屬貼片，所述氧化鋁基片表面上并位于第一金屬柱、第二金屬柱另一端貼覆有用于與電路板電接觸的金屬貼片。

上述技術方案中進一步改進的技術方案如下：

作為優選，所述氮化鋁基片和氧化鋁基片的厚度比為1：1.2~1.5。

作為優選，所述氮化鋁基片和氧化鋁基片形狀為矩形。

由于上述技術方案運用，本實用新型與現有技術相比具有下列優點和效果：

本實用新型射頻用陶瓷電容器板，其第一U型導電層、第二U型導電層均包括兩個側電極和連接兩個側電極底端的底電極；所述第一U型導電層的一個側電極嵌入由第二U型導電層的側電極和底電極形成的凹槽區內，減小器件體積時增加了電容量，從而有利于器件小型化，提高了產品的可靠性和良率；其次，陶瓷燒結體由氮化鋁基片和氧化鋁基片組成，此氮化鋁基片的下表面和氧化鋁基片的上表面之間具有一金屬圖形層，具有高品質因數，從而降低了高頻損耗，且具有穩定的溫度系數，也便于機械加工。

附圖說明

附圖1為本實用新型射頻用陶瓷電容器板中間層結構示意圖；

附圖2為本實用新型射頻用陶瓷電容器板截面結構示意圖。

以上附圖中：1、氮化鋁基片；2、氧化鋁基片；3、第一U型導電層；4、第二U型導電層；5、側電極；6、底電極；7、凹槽區；8、第一金屬柱；9、第二金屬柱；10、金屬貼片。

具體實施方式

下面結合附圖及實施例對本實用新型作進一步描述：

實施例1：一種射頻用陶瓷電容器，包括氮化鋁基片1和氧化鋁基片2，此氮化鋁基片1和氧化鋁基片2之間夾有具有位于同一平面的第一U型導電層3、第二U型導電層4，此第一U型導電層3和第二U型導電層4之間電隔離，所述第一U型導電層3、第二U型導電層4均包括兩個側電極5和連接兩個側電極5底端的底電極6；所述第一U型導電層3的一個側電極5嵌入由第二U型導電層4的側電極5和底電極6形成的凹槽區7內；兩個第一金屬柱8依次貫通所述氮化鋁基片1、第一U型導電層3和氧化鋁基片2，兩個第二金屬柱9依次貫通所述氮化鋁基片1、第二U型導電層4和氧化鋁基片2；所述氮化鋁基片1表面上并位于第一金屬柱8、第二金屬柱9一端貼覆有用于與電路板電接觸的金屬貼片10，所述氧化鋁基片2表面上并位于第一金屬柱8、第二金屬柱9另一端貼覆有用于與電路板電接觸的金屬貼片10。