[實(shí)用新型]一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)有效
| 申請(qǐng)?zhí)枺?/td> | 201320028718.2 | 申請(qǐng)日: | 2013-01-21 |
| 公開(kāi)(公告)號(hào): | CN203088774U | 公開(kāi)(公告)日: | 2013-07-31 |
| 發(fā)明(設(shè)計(jì))人: | 王旭寧;薛領(lǐng)瓏;王麗軍 | 申請(qǐng)(專(zhuān)利權(quán))人: | 九陽(yáng)股份有限公司 |
| 主分類(lèi)號(hào): | A47J31/54 | 分類(lèi)號(hào): | A47J31/54;A47J43/07 |
| 代理公司: | 暫無(wú)信息 | 代理人: | 暫無(wú)信息 |
| 地址: | 250118 山*** | 國(guó)省代碼: | 山東;37 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關(guān)鍵詞: | 一種 采用 加熱 食品 加工 | ||
本實(shí)用新型涉及食品加工技術(shù)領(lǐng)域,具體地說(shuō),涉及一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)。?
目前市場(chǎng)上的食品加工機(jī),例如豆?jié){機(jī)、食品料理機(jī)等的加熱方式主要有在機(jī)頭(豆?jié){機(jī))安裝管狀發(fā)熱體、在杯底安裝盤(pán)狀包括電熱管或者陶瓷加熱器等發(fā)熱體、在加熱容器下部外圍焊接發(fā)熱管或者設(shè)置電磁感應(yīng)線圈等等。這些加熱技術(shù)的加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大的缺陷很明顯。上述加熱方式在的加熱過(guò)程中普遍存在糊管、糊底等問(wèn)題。糊管后容易燒焦,清洗困難。
為了解決上述問(wèn)題,出現(xiàn)了采用厚膜進(jìn)行加熱的食品加工機(jī)。厚膜俗稱(chēng)電熱膜、發(fā)熱膜、加熱膜,其特點(diǎn)是熱效率高、加熱速度快、熱慣性小。由于熱慣性小,不存在剛開(kāi)始加熱時(shí)的預(yù)熱階段和斷電后繼續(xù)煮水的階段,可以對(duì)食品加工工藝的溫度控制進(jìn)行精確控溫。
但是現(xiàn)有采用厚膜加熱的食品加工機(jī),都是在食品加工機(jī)加熱容器底部設(shè)置厚膜,盡管厚膜的熱慣性小,但同樣存在容易糊底的問(wèn)題。
本實(shí)用新型針對(duì)現(xiàn)有食品加工機(jī)的加熱方式存在加熱接觸面小、加熱速度慢、熱效率低、熱慣性大、容易糊底的問(wèn)題,提供一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī)。
本實(shí)用新型所需要解決的技術(shù)問(wèn)題,可以通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn):
一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī),包括加熱容器,其特征在于:加熱容器下部側(cè)壁表面設(shè)有厚膜介電層,厚膜介電層上設(shè)有厚膜電阻層,厚膜電阻層具有至少一對(duì)連接電源的接入端,所述厚膜電阻層上設(shè)有絕緣層,所述加熱容器的熱膨脹系數(shù)不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數(shù)。
本實(shí)用新型中,所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡,所述電阻軌跡具有至少一對(duì)連接電源的接入端,電阻軌跡上串聯(lián)有突跳式溫控器。
本實(shí)用新型中,所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡,所述電阻軌跡具有至少一對(duì)連接電源的接入端,所述電阻軌跡包括正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū),干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度,突跳式溫控器串聯(lián)在干燒敏感區(qū)內(nèi)。
本實(shí)用新型中,所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡,所述電阻軌跡具有至少一對(duì)連接電源的接入端,所述電阻軌跡包括正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū),干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度,突跳式溫控器串聯(lián)在干燒敏感區(qū)內(nèi)。
本實(shí)用新型中,所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡,所述電阻軌跡具有至少一對(duì)連接電源的接入端,所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。
一種采用厚膜加熱的食品加工機(jī),包括加熱容器,其特征在于:所述加熱容器下部側(cè)壁套設(shè)有導(dǎo)熱基體,所述基體表面設(shè)有厚膜介電層,厚膜介電層上設(shè)有厚膜電阻層,厚膜電阻層具有至少一對(duì)連接電源的接入端,所述厚膜電阻層上設(shè)有絕緣層,所述導(dǎo)熱基體的熱膨脹系數(shù)不大于厚膜介電層、厚膜電阻層和絕緣層的熱膨脹系數(shù)。
本實(shí)用新型中,所述導(dǎo)熱基體設(shè)有沿其整個(gè)長(zhǎng)度方向縱向槽,以便于將導(dǎo)熱基體套設(shè)在加熱容器下部側(cè)壁;所述套熱基體的內(nèi)徑小于加熱容器的外徑,以使得導(dǎo)熱基體緊密的套設(shè)在加熱容器下部側(cè)壁。
本實(shí)用新型中,所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡,所述電阻軌跡具有至少一對(duì)連接電源的接入端,電阻軌跡上串聯(lián)有突跳式溫控器。
本實(shí)用新型中,所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡,所述電阻軌跡具有至少一對(duì)連接電源的接入端,所述電阻軌跡包括正常工作區(qū)和干燒敏感區(qū),干燒敏感區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度小于正常工作區(qū)內(nèi)厚膜電阻軌跡寬度,突跳式溫控器串聯(lián)在干燒敏感區(qū)內(nèi)。
本實(shí)用新型中,所述厚膜電阻層在厚膜介電層上形成電阻軌跡,所述電阻軌跡具有至少一對(duì)連接電源的接入端,所述接入端中至少其中一端與電源之間串接有突跳式溫控器或者熔斷體。
本實(shí)用新型通過(guò)在食品加工機(jī)加熱容器下部側(cè)壁直接或者間接設(shè)置厚膜,使得加熱容器的加熱接觸面更大,加熱更均勻,加熱速度和熱效率都有顯著提高,避免了糊底等問(wèn)題的出現(xiàn),同時(shí),加熱容器外壁更加美觀,占用空間更小,對(duì)食品加工機(jī)整體結(jié)構(gòu)有顯著的優(yōu)化。
以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施方式來(lái)進(jìn)一步說(shuō)明本實(shí)用新型。
圖1為本實(shí)用新型食品加工機(jī)加熱容器第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖1為本實(shí)用新型食品加工機(jī)加熱容器第一種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
圖2為本實(shí)用新型厚膜介電層、厚膜電阻層、絕緣層以及加熱容器的徑向剖視圖。
圖3為本實(shí)用新型食品加工機(jī)加熱容器第二種實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)示意圖。
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