[實用新型]雙口RAM實現閃存控制器緩存的結構

無效

• 申請號: 200820029551.0
• 申請日: 2008-07-03
• 公開（公告）號: CN201218944Y
• 公開（公告）日: 2009-04-08
• 發明（設計）人: 劉升;李喜軍;王永強
• 申請（專利權）人: 西安奇維測控科技有限公司
• 主分類號: G06F3/06
• 分類號: G06F3/06
• 代理公司: 西安智邦專利商標代理有限公司
• 代理人: 康 凱

1.一種雙口RAM實現高速閃存控制器緩存的結構，包括IDE接口控制邏輯、IDE寄存器、IDE緩存區、處理器、Flash接口控制邏輯、FLASH緩存區以及FPGA外圍電路，其特征在于：

其中IDE寄存器與IDE緩存區構成一個IDE接口緩存區，所述IDE接口緩存區包括兩個完全獨立的控制口；

所述IDE接口控制邏輯通過其中一個控制口與IDE接口緩存區連接，所述處理器通過另一個控制口與IDE接口緩存區連接；

所述FLASH緩存區也包括兩個完全獨立的控制口；

所述Flash接口控制邏輯通過FLASH緩存區的其中一個控制口與FLASH緩存區連接，所述處理器通過另一個控制口與FLASH緩存區連接。

2.根據權利要求1所述雙口RAM實現高速閃存控制器緩存的結構，其特征在于：所述IDE接口緩存區與FLASH緩存區彼此獨立。

3.根據權利要求1或2任一所述雙口RAM實現高速閃存控制器緩存的結構，其特征在于：包括至少兩組連接相同的FLASH緩存區和Flash控制接口邏輯。

4.根據權利要求3所述雙口RAM實現高速閃存控制器緩存的結構，其特征在于：所述IDE寄存器中包括讀數據寄存器、寫數據寄存器、錯誤寄存器、讀扇區數寄存器、寫扇區數寄存器、讀邏輯扇區號寄存器、寫邏輯扇區號寄存器讀柱面號寄存器、寫柱面號寄存器、讀柱面號寄存器、寫柱面號寄存器、讀磁頭寄存器、寫磁頭寄存器、狀態寄存器以及命令寄存器。