[發明專利]半導體器件及其生產方法

有效

• 申請號: 201310757220.4
• 申請日: 2013-12-13
• 公開（公告）號: CN103871977B
• 公開（公告）日: 2017-05-03
• 發明（設計）人: I·尼基廷;M·施內甘斯
• 申請（專利權）人: 英飛凌科技股份有限公司
• 主分類號: H01L23/29
• 分類號: H01L23/29;H01L23/31;H01L21/56;H01L21/60
• 代理公司: 中國專利代理(香港)有限公司72001
• 代理人: 馬紅梅,劉春元

1.一種半導體器件，包括：

半導體芯片，包括第一主面和第二主面，其中第二主面是半導體芯片的背面；

連續的導電層，被布置在半導體芯片的第二主面上；以及

聚合物結構，被布置在半導體芯片的第二主面上，其中聚合物結構包括沿著第二主面的相對的邊緣分布的至少兩個條，其中導電層和該導電層的面向條的側邊緣橫向地位于至少兩個條之間。

2.根據權利要求1的半導體器件，其中半導體芯片的厚度小于100μm。

3.根據權利要求1的半導體器件，其中布置在半導體芯片的第二主面上的導電層的面積為半導體芯片的第二主面的至少80%。

4.根據權利要求1的半導體器件，其中布置在半導體芯片的第二主面上的導電層的面積為半導體芯片的第二主面的至少90%。

5.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構的側向面與半導體芯片的側向面齊平。

6.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構包括酰亞胺。

7.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構包括光敏酰亞胺、光致抗蝕劑、熱固性材料或熱塑性材料。

8.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構具有3到50μm間的厚度。

9.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構具有2到50μm間的寬度。

10.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構的寬度沿遠離半導體芯片的方向從第二主面減小。

11.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構和導電層在厚度上相同。

12.根據權利要求1的半導體器件，其中聚合物結構的背向半導體芯片的表面和導電層的背向半導體芯片的表面彼此持平。

13.根據權利要求1的半導體器件，其中導電層包括第一材料的第一金屬化層，第一材料包括Cu或Sn之一或者這些金屬中的一種或多種的合金。

14.根據權利要求13的半導體器件，其中導電層進一步包括第二材料的接合層，接合層覆蓋第一金屬化層，且第二材料是焊接材料或導電粘合劑。

15.根據權利要求1的半導體器件，其中導電層包括金屬膠層。

16.根據權利要求1的半導體器件，其中導電層包括納米膠層、焊膠層和導電粘合劑中的一種或多種。

17.根據權利要求1的半導體器件，其中導電層包括基礎金屬化層，基礎金屬化層包括選自由下述各項組成的組的至少一種材料：Au、Al、Ti、W、Cr、NiCo、Co、Cu、Sn、Ni、NiV、NiSn、Au、Ag、Pt、Pd以及這些金屬中的一種或多種的合金。

18.根據權利要求1的半導體器件，其中半導體芯片是功率晶體管或功率二極管，且導電層被耦合到功率晶體管的漏電極或集電極或者耦合到功率二極管的陽極。

19.根據權利要求1的半導體器件，其中半導體芯片是邏輯集成電路，且導電層是背部散熱器。