[發(fā)明專利]一種ICP-MS裝置及方法

在審

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310756585.5
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103779167A
• 公開（公告）日: 2014-05-07
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 梁炎;王強;滕恩江;劉立鵬;鄭毅;韓雙來;邱明;徐岳;陳飛華;陳文益;李鷹
• 申請（專利權(quán)）人: 聚光科技(杭州)股份有限公司
• 主分類號: H01J49/04
• 分類號: H01J49/04;H01J49/00
• 代理公司: 暫無信息
• 代理人: 暫無信息

1.一種ICP-MS裝置，包括ICP離子源、真空接口、離子傳輸模塊、質(zhì)量分析器和檢測器，其特征在于：

所述真空接口包括采樣錐和至少一組陣列電極，所述至少一組陣列電極的每一片電極均為中間開孔的電極板，所述至少一組陣列電極相鄰兩片之間施加同頻反向RF電壓；

所述至少一組陣列電極設(shè)置在所述采樣錐和離子傳輸模塊之間，所述至少一組陣列電極的至少兩片電極之間設(shè)置氣體入口。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP-MS裝置，其特征在于：所述真空接口還包括截取錐，所述至少一組陣列電極設(shè)置在所述截取錐和離子傳輸模塊之間。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP-MS裝置，其特征在于：同一組陣列電極的電極板的中間開孔同軸排列。

4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的ICP-MS裝置，其特征在于：同一組陣列電極的電極板的中間開孔沿離子傳輸方向逐漸變小。

5.根據(jù)權(quán)利要求4所述的ICP-MS裝置，其特征在于：各組陣列電極之間同軸或離軸排列。

6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP-MS裝置，其特征在于：每組陣列電極的最后兩級之間設(shè)置氣體入口。

7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的ICP-MS裝置，其特征在于：所述ICP-MS裝置還包括電極罩，所述至少一組陣列電極的至少一組設(shè)置在所述電極罩內(nèi)，所述電極罩具有碰撞/反應(yīng)氣入口、離子入口和離子出口。

8.一種ICP-MS方法，包括以下步驟：

A、向陣列電極施加電壓并向陣列電極之間通入碰撞/反應(yīng)氣；

離子從陣列電極輸出至離子傳輸模塊；

B、離子從離子傳輸模塊輸出并被甄別、檢測。

9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的ICP-MS方法，其特征在于：步驟A中，采用權(quán)利要求1～7任一所述的ICP-MS裝置，通過所述氣體入口通入碰撞/反應(yīng)氣。