[發(fā)明專利]一種抗單粒子效應(yīng)的帶隙基準(zhǔn)

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310755084.5
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103677052A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發(fā)明（設(shè)計）人: 徐江濤;賈文龍;姚素英;史再峰;高靜
• 申請（專利權(quán)）人: 天津大學(xué)
• 主分類號: G05F1/56
• 分類號: G05F1/56
• 代理公司: 天津市北洋有限責(zé)任專利代理事務(wù)所 12201
• 代理人: 杜文茹

1.一種抗單粒子效應(yīng)的帶隙基準(zhǔn)，包括：柵極相互連接的第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3，基極與集電極都接地的第一三極管Q1、第二三極管Q2和第三三極管Q3，以及運算放大器F，其中，所述第一PMOS管M1、第二PMOS管M2和第三PMOS管M3的源極分別連接電源VDD，所述第一PMOS管M1的漏極和第一三極管Q1的發(fā)射極均連接運算放大器F的反相輸入端（X），所述第二PMOS管M2的漏極連接運算放大器F的同相輸入端（Y），所述第二三極管Q2的發(fā)射極通過電阻R1連接運算放大器F的同相輸入端，所述第三PMOS管M3的漏極構(gòu)成帶隙基準(zhǔn)輸出端V_out，所述第三三極管Q3的發(fā)射極通過電阻R2連接第三PMOS管M3的漏極，其特征在于，所述的運算放大器F的同相輸入端Y連接用來實現(xiàn)受到單粒子效應(yīng)時的分流電流的輔助電路（B）。

2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗單粒子效應(yīng)的帶隙基準(zhǔn)，其特征在于，所述的輔助電路（B）包括有第一NMOS管M4、第二NMOS管M5和第四PMOS管M6，其中，所述的第一NMOS管M4、第二NMOS管的發(fā)射極接地，所述的第一NMOS管M4、第二NMOS管的柵極相連，該相連點還連接第二NMOS管M5的漏極與第四PMOS管M6的漏極的連接點，第一NMOS管M4的漏極連接所述的運算放大器F的同相輸入端Y，所述第四PMOS管M6的柵極和發(fā)射極連接電源VDD。

3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗單粒子效應(yīng)的帶隙基準(zhǔn)，其特征在于，所述的第一三極管Q1、第二三極管Q2和第三三極管Q3為PNP管。

4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種抗單粒子效應(yīng)的帶隙基準(zhǔn)，其特征在于，所述的第二三極管Q2的面積為第一三極管Q1的n倍，其中n為大于等于1的整數(shù)。

5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種抗單粒子效應(yīng)的帶隙基準(zhǔn)，其特征在于，所述的第四PMOS管M6與第二PMOS管M2管尺寸相同，版圖設(shè)計使用共質(zhì)心布局，并使第四PMOS管M6與第二PMOS管M2管的漏極相接近。