[發明專利]薄膜晶體管基板的制造方法

有效

• 申請號: 201310754071.6
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103730414A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發明（設計）人: 胡哲;陳宇霆;詹潤澤;董承遠;江政隆;陳柏林;賴梓杰
• 申請（專利權）人: 深圳市華星光電技術有限公司
• 主分類號: H01L21/77
• 分類號: H01L21/77
• 代理公司: 深圳市德力知識產權代理事務所 44265
• 代理人: 林才桂

1.一種薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

步驟1、提供基片（20）；

步驟2、在所述基片（20）上形成第一金屬層，并圖案化該第一金屬層，以形成柵極（22）；

步驟3、在所述柵極（22）與基片（20）上形成柵極絕緣層（24）；

步驟4、在所述柵極絕緣層（24）上連續成膜依次形成氧化物半導體層（25）及第二金屬層，并圖案化該第二金屬層，以形成源/漏極（26），其中該第二金屬層包含有鉭；

步驟5、圖案化所述氧化物半導體層（25），以露出部分柵極絕緣層（24）；

步驟6、在所述源/漏極（26）、氧化物半導體層（25）及柵極絕緣層（24）上形成鈍化層（27），并圖案化該鈍化層（27），以露出部分源/漏極（26）及部分氧化物半導體層（25）；

步驟7、在所述鈍化層（27）及露出的部分源/漏極（26）上形成透明導電層，并圖案化該透明導電層，以形成像素電極（28）。

2.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述基片（20）為透明基片。

3.如權利要求2所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述基片（20）為玻璃基片。

4.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述第一金屬層含有銅、鉭、鋁、鉬至少一種。

5.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述第二金屬層還包含有銅、鋁、鉬至少一種。

6.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述步驟4中，通過含有過氧化氫的蝕刻液對第二金屬層進行蝕刻，以實現第二金屬層的圖案化。

7.如權利要求6所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述蝕刻液中的過氧化氫濃度大于5wt%且小于30wt%。

8.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述氧化物半導體層（25）含有銦氧化物、鋅氧化物、錫氧化物、鎵氧化物至少一種。

9.如權利要求1所述的薄膜晶體管基板的制造方法，其特征在于，所述透明導電層含有銦錫金屬氧化物；所述柵極絕緣層（24）與鈍化層（27）均含有氧化硅。