[發明專利]nLDMOS耗盡管器件的工藝方法在審
| 申請號： | 201310753006.1 | 申請日： | 2013-12-31 |
| 公開（公告）號： | CN104752173A | 公開（公告）日： | 2015-07-01 |
| 發明（設計）人： | 寧開明;金鋒;王惠惠 | 申請（專利權）人： | 上海華虹宏力半導體制造有限公司 |
| 主分類號： | H01L21/265 | 分類號： | H01L21/265;H01L21/336 |
| 代理公司： | 上海浦一知識產權代理有限公司 31211 | 代理人： | 丁紀鐵 |
| 地址： | 201203 上海市浦東*** | 國省代碼： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索關鍵詞： | nldmos 盡管 器件 工藝 方法 | ||
【權利要求書】：
1.一種nLDMOS耗盡管器件的工藝方法，其特征在于：包含如下步驟：
在器件的N阱和P阱形成以后，進行溝道區離子注入時，在器件的N阱和P阱形成以后，進行溝道區離子注入時，先進行P型雜質的注入，其注入角度為垂直注入；再進行溝道區閾值電壓調節的N型雜質注入，其注入角度為斜角注入；最后進行熱退火激活。
2.如權利要求1所述的nLDMOS耗盡管器件的工藝方法，其特征在于：所述的第一步中，注入的P型雜質為硼，注入能量為30～100KeV，注入劑量為3x1012～1x1013cm-2。
3.如權利要求1所述的nLDMOS耗盡管器件的工藝方法，其特征在于：所述第二步中，N型雜質的注入角度為15～45度。
4.如權利要求1所述的nLDMOS耗盡管器件的工藝方法，其特征在于：所述第二步中，注入的N型雜質為砷，注入能量為20～40KeV，注入劑量為2x1012～8x1012cm-2。
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H01 基本電氣元件
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
H01L 半導體器件；其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置；專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理；集成電路器件或其特殊部件的制造
