[發(fā)明專利]雙軸張應變GeSnn溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管

有效

• 申請?zhí)枺?/td>: 201310752794.2
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103730507A
• 公開（公告）日: 2014-04-16
• 發(fā)明（設計）人: 韓根全;劉艷;劉明山
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10;H01L29/161
• 代理公司: 重慶華科專利事務所 50123
• 代理人: 康海燕

1.一種帶有雙軸張應變的GeSnn溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，具有一GeSn溝道、一襯底、一源極、一漏極、一絕緣介電質(zhì)薄膜和一柵電極；

所述源極或者漏極通過外延生長或者鍵合方式生長在襯底上，其材料為弛豫的單晶半導體材料GeSn，源極、GeSn溝道和漏極形成豎直器件結(jié)構；

所述絕緣介電質(zhì)薄膜環(huán)繞生長在GeSn溝道上，所述柵電極覆蓋在絕緣介電質(zhì)薄膜上；

所述源極或漏極材料的晶格常數(shù)比GeSn溝道晶格常數(shù)大。

2.如權利要求1所述的帶有雙軸張應變的GeSnn溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，所述溝道GeSn材料的通式為Ge_1-xSn_x（0≤x≤0.25）。

3.如權利要求2所述的帶有雙軸張應變的GeSnn溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，所述源極和漏極材料為單晶GeSn，通式為Ge_1-ySn_y（0≤y≤0.25，x<y）。