[發明專利]帶有源漏應變源的GeSn n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管

有效

• 申請號: 201310752768.X
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN103681868A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 韓根全;劉艷;劉明山
• 申請（專利權）人: 重慶大學
• 主分類號: H01L29/78
• 分類號: H01L29/78;H01L29/10
• 代理公司: 重慶華科專利事務所 50123
• 代理人: 康海燕

1.一種帶有源漏應變源的GeSn?n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，包括：

一溝道103，為單晶GeSn材料；

一絕緣介電質薄膜104，位于溝道上；

一柵電極105，位于所述絕緣介電質薄膜上；

一源極101與一漏極102，材料為單晶GeSn；

一源極應變源106與一漏極應變源，分別位于源和漏上，材料為單晶GeSn；

其中源漏應變源的晶格常數比溝道區域的晶格常數大。

2.如權利要求1所述的帶有源漏應變源的GeSn?n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，所述溝道的單晶GeSn材料通式為Ge_1-xSn_x（0≤x≤0.25）。

3.如權利要求1所述的帶有源漏應變源的GeSn?n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，所述源漏區域為單晶GeSn材料，通式為Ge_1-xSn_x（0≤x≤0.25）。

4.如權利要求2或3所述的帶有源漏應變源的GeSn?n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，所述源漏應變源采用單晶半導體材料GeSn,通式為Ge_1-ySn_y（0<y≤0.25,y>x）。

5.如權利要求1-4之任一項所述的帶有源漏應變源的GeSn?n溝道金屬氧化物半導體場效應晶體管，其特征在于，其中源漏應變源通過半導體外延生長的技術生長在源漏區域。