[發明專利]LED結構及其電極的形成方法

在審

• 申請號: 201310752029.0
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103682023A
• 公開（公告）日: 2014-03-26
• 發明（設計）人: 封飛飛;張昊翔;王偉;萬遠濤;李東昇;江忠永
• 申請（專利權）人: 杭州士蘭明芯科技有限公司
• 主分類號: H01L33/38
• 分類號: H01L33/38;H01L33/40
• 代理公司: 上海專利商標事務所有限公司 31100
• 代理人: 張振軍

1.一種LED結構，其特征在于，包括：

LED外延層；

透明導電膜，覆蓋所述LED外延層，該透明導電膜上具有一個或多個貫穿該透明導電膜的孔洞；

焊盤，位于所述透明導電膜上并填充所述孔洞。

2.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述孔洞的形狀為正方形、長方形、圓形、多邊形其中一種或者任意組合。

3.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述孔洞的形狀為圓形，其直徑為1μm～100μm。

4.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述孔洞的數量為1～100個。

5.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述透明導電膜的材料為ITO、ZnO、AZO、FTO或TCO。

6.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述透明導電膜的厚度為30nm～500nm。

7.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述焊盤覆蓋在所述透明導電膜上的部分的厚度為2～20μm。

8.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述LED外延層中的最上層是N型半導體層或P型半導體層，或者并列的N型半導體層和P型半導體層。

9.根據權利要求1所述的LED結構，其特征在于，所述焊盤的材料為Ti、Al、Cr、Pt、Au中的一種或其任意組合。

10.一種LED結構的電極的形成方法，其特征在于，包括：

提供LED外延層；

在所述LED外延層的表面形成透明導電膜，該透明導電膜覆蓋所述LED外延層；

刻蝕所述透明導電膜以在其中形成一個或多個孔洞；

在所述透明導電膜上形成焊盤，該焊盤還填充所述孔洞。

11.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述孔洞的形狀為正方形、長方形、圓形、多邊形其中一種或者任意組合。

12.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述孔洞的形狀為圓形，其直徑為1μm～100μm。

13.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述孔洞的數量為1～100個。

14.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，在所述透明導電膜上形成焊盤包括：

在所述透明導電膜的表面制作焊盤圖形；

沉積焊盤金屬，該焊盤金屬填充所述孔洞并覆蓋所述透明導電膜的表面；

對所述焊盤金屬進行剝離工藝以形成所述焊盤。

15.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述焊盤金屬的沉積方法為電子束蒸發。

16.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述透明導電膜的材料為ITO、ZnO、AZO、FTO或TCO。

17.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述透明導電膜的厚度為30nm～500nm。

18.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述透明導電膜的形成方法為蒸發或濺射。

19.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述焊盤覆蓋在所述透明導電膜上的部分的厚度為2～20μm。

20.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述LED外延層中的最上層是N型半導體層或P型半導體層，或者并列的N型半導體層和P型半導體層。

21.根據權利要求10所述的方法，其特征在于，所述焊盤的材料為Ti、Al、Cr、Pt、Au中的一種或其任意組合。