[發(fā)明專利]利用對(duì)隔離層的氮化來制造半導(dǎo)體器件的方法

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310752006.X
• 申請(qǐng)日: 2013-12-31
• 公開（公告）號(hào): CN103943568A
• 公開（公告）日: 2014-07-23
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 車知?jiǎng)?/a>;白在職;尹普彥;尹英相;韓政男
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 三星電子株式會(huì)社
• 主分類號(hào): H01L21/8238
• 分類號(hào): H01L21/8238;H01L21/02
• 代理公司: 北京天昊聯(lián)合知識(shí)產(chǎn)權(quán)代理有限公司 11112
• 代理人: 陳源;張帆

相關(guān)申請(qǐng)的交叉引用

本申請(qǐng)要求于2013年1月21日在韓國知識(shí)產(chǎn)權(quán)局提交的韓國專利申請(qǐng)No.10-2013-0006603的優(yōu)先權(quán)，其內(nèi)容通過引用整體并入于此。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明構(gòu)思涉及制造半導(dǎo)體器件的方法。

背景技術(shù)

已開發(fā)出用于改善晶體管的驅(qū)動(dòng)電流的各種方法。具體地，已使用通過對(duì)晶體管的溝道區(qū)施加應(yīng)力來改善驅(qū)動(dòng)電流的方法。

為了對(duì)晶體管的溝道區(qū)施加應(yīng)力，可以刻蝕半導(dǎo)體襯底的有源區(qū)，然后執(zhí)行外延生長，從而形成用于對(duì)溝道區(qū)施加應(yīng)力的應(yīng)力膜。當(dāng)刻蝕半導(dǎo)體襯底時(shí)，還可以與有源區(qū)一起刻蝕隔離區(qū)。

發(fā)明內(nèi)容

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一方面，提供了一種用于制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：通過對(duì)形成在具有隔離區(qū)和有源區(qū)的襯底上的刻蝕停止層進(jìn)行圖案化來暴露所述隔離區(qū)和所述有源區(qū)；通過執(zhí)行等離子體氮化來對(duì)暴露出的隔離區(qū)的頂表面進(jìn)行氮化；在暴露出的有源區(qū)上形成第一凹槽；以及在所述第一凹槽內(nèi)形成應(yīng)力膜。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，提供了一種制造半導(dǎo)體器件的方法，該方法包括：提供襯底，所述襯底具有被隔離區(qū)隔離的第一區(qū)和第二區(qū)；在所述第二區(qū)上形成刻蝕停止層；通過執(zhí)行等離子體氮化來對(duì)所述隔離區(qū)的頂表面和所述第一區(qū)的頂表面進(jìn)行氮化；在所述第一區(qū)內(nèi)形成第一凹槽；以及在所述第一凹槽內(nèi)形成應(yīng)力膜。

根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一方面，一種形成半導(dǎo)體器件的方法可以包括提供針對(duì)包括有源區(qū)和隔離區(qū)的暴露出的頂表面進(jìn)行的等離子體氮化。可以使所述包括有源區(qū)和隔離區(qū)的暴露出的頂表面受到刻蝕，從而在所述有源區(qū)內(nèi)形成一個(gè)比形成在所述隔離區(qū)內(nèi)的更深的凹槽；并且可以在所述更深的凹槽內(nèi)生長不合并的外延應(yīng)力膜。

附圖說明

通過參照附圖來詳細(xì)描述本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例，本發(fā)明構(gòu)思的以上及其它特征和優(yōu)勢將變得更加清晰，其中：

圖1是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖；

圖2至圖16示出用于說明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的中間處理步驟；

圖17示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法中所展示的效果；

圖18至圖23示出用于說明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的另一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的中間處理步驟；

圖24是示出根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的流程圖；

圖25至圖34示出用于說明根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的又一實(shí)施例的制造半導(dǎo)體器件的方法的中間處理步驟；

圖35是并入了通過根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體器件的存儲(chǔ)卡的框圖；

圖36是示出使用了通過根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些示例性實(shí)施例的制造方法制造的半導(dǎo)體器件的信息處理系統(tǒng)的框圖；

圖37是包括根據(jù)本發(fā)明構(gòu)思的一些實(shí)施例的半導(dǎo)體器件的電子系統(tǒng)的框圖。

具體實(shí)施方式

現(xiàn)在將在下文中參照附圖更加全面地描述本發(fā)明，其中附圖示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。然而，本發(fā)明可以通過不同的形式來實(shí)現(xiàn)，而不應(yīng)解釋為限制于本文所闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí)施例是為了使本公開透徹且完整，并且向本領(lǐng)域技術(shù)人員全面地傳達(dá)本發(fā)明的范圍。在整個(gè)說明書中，相同的參考標(biāo)記表示相同的組件。在附圖中，為了清晰起見，夸大了層和區(qū)域的厚度。

在描述本發(fā)明的上下文中（尤其在以下權(quán)利要求的上下文中），術(shù)語“一個(gè)”、“一種”和“該”以及類似指代物的使用應(yīng)解釋為同時(shí)涵蓋單數(shù)和復(fù)數(shù)的含義，除非對(duì)此另有說明或者與上下文明顯矛盾。術(shù)語“包含”、“具有”、“包括”、以及“含有”應(yīng)解釋為開放式術(shù)語（即，意味著“包括，但不限制于”），除非另有說明。

還應(yīng)理解的是，當(dāng)層被稱為在另一層或襯底“上”時(shí)，它可以是直接在另一層或襯底上，或者還可能有中間層存在。相反，當(dāng)元件被稱為“直接”在另一元件“上”時(shí)，沒有中間元件存在。

為了便于描述，在本文中諸如“在…之下”、“下方”、“下部”、“上方”、“上部”等空間相對(duì)術(shù)語可以用于方便描述如圖所示的一個(gè)元件或特征與另一個(gè)（一些）元件或特征之間的關(guān)系。將理解的是，這些空間相對(duì)術(shù)語除了旨在包含圖中所描繪的方向外，還旨在包含使用或操作過程中器件的不同方向。例如，若在圖中器件被翻轉(zhuǎn)，則被描述為在其它元件或特征“下方”或“之下”的元件將被定位在所述其它元件或特征的“上方”。因此，示例性術(shù)語“下方”可以同時(shí)包含上方和下方的方位。器件可以被以另外的方式定位（旋轉(zhuǎn)90度或以其它方位），并對(duì)本文中使用的空間相對(duì)描述詞進(jìn)行相應(yīng)解釋。