[發明專利]一種D/A型二苯乙烯分子共插層水滑石復合光電材料及其制備方法有效
| 申請號: | 201310751057.0 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103642490A | 公開(公告)日: | 2014-03-19 |
| 發明(設計)人: | 陸軍;鄭舒方;李悟;段雪 | 申請(專利權)人: | 北京化工大學 |
| 主分類號: | C09K11/06 | 分類號: | C09K11/06 |
| 代理公司: | 北京同恒源知識產權代理有限公司 11275 | 代理人: | 張水俤 |
| 地址: | 100029 北京市*** | 國省代碼: | 北京;11 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 苯乙烯 分子 共插層水 滑石 復合 光電 材料 及其 制備 方法 | ||
1.一種D/A型二苯乙烯分子共插層水滑石復合光電材料,其特征在于,該材料的化學式為:[(M2+)1-x(M3+)x(OH)2]x+(A2-)x/2·mH2O,其中0.1≤x≤0.33,m=3-6為層間結晶水分子數,M2+代表二價金屬陽離子,M3+代表三價金屬陽離子;A2-代表4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根陰離子與4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根陰離子,兩者的摩爾比為(1:9)-(9:1);該材料的晶體結構為類水滑石材料的晶體結構,金屬陽離子和氫氧根離子以共價鍵構成八面體,通過共邊形成片狀結構,4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根陰離子與4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根陰離子插入片層間構成均勻分散的4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根陰離子與4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸根陰離子共插層超分子層狀復合材料。
2.根據權利要求1所述的D/A型二苯乙烯分子共插層水滑石復合光電材料,其特征在于,所述的二價金屬陽離子為Mg2+、Ni2+、Co2+、Zn2+或Ca2+;三價金屬陽離子為Al3+或Fe3+。
3.根據權利要求1所述的D/A型二苯乙烯分子共插層水滑石復合光電材料的制備方法,其特征在于,其具體操作步驟為:
1)配制二價、三價金屬陽離子摩爾比為(2:1)-(3:1)的去離子、去CO2的水溶液A,其中二價金屬陽離子濃度為0.1M-0.15M;
2)配制4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸鈉、4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸鈉和NaOH的去離子、去CO2的水溶液B,其中4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸鈉和4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸鈉的摩爾比為(1:9)-(9:1),4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸鈉和4,4'-二硝基二苯乙烯-2,2'-二磺酸鈉的摩爾數之和與步驟1)中三價金屬陽離子的摩爾比為1:2,4,4'-二氨基二苯乙烯-2,2'-二磺酸鈉的濃度為0.0025-0.025M,NaOH的摩爾數是步驟1)中的二價、三價金屬陽離子摩爾數之和的2倍;
3)將溶液A倒入四口燒瓶中,將溶液B通過恒壓漏斗,在氮氣保護條件下向裝有溶液A的四口燒瓶中緩慢滴加;
4)滴加完成后用NaOH調節pH值為7.0-8.0,得到漿液C,將漿液C轉移到聚四氟乙烯反應釜中,控溫100-110℃下水熱反應20-24小時;
5)將步驟4)中的反應產物分別用去CO2、去離子水離心洗滌3-6次,至洗滌液無色,將離心得到的濾餅在50-70℃溫度范圍內真空干燥15-20小時,即得到D/A型二苯乙烯分子共插層水滑石復合光電材料。
4.根據權利要求3所述的制備方法,其特征在于,所述的二價金屬陽離子為Mg2+、Ni2+、Co2+、Zn2+或Ca2+;三價金屬陽離子為Al3+或Fe3+。
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