[發明專利]半導體基板及其制法

有效

• 申請號: 201310751011.9
• 申請日: 2013-12-31
• 公開（公告）號: CN104733326B
• 公開（公告）日: 2018-06-05
• 發明（設計）人: 張維哲
• 申請（專利權）人: 矽品精密工業股份有限公司
• 主分類號: H01L21/48
• 分類號: H01L21/48;H01L23/498;H01L23/14
• 代理公司: 北京戈程知識產權代理有限公司 11314
• 代理人: 程偉;王錦陽

1.一種半導體基板的制法，包括：

于一基板本體上形成第一介電層；

形成多個貫穿該第一介電層且外露該基板本體的第一介電層盲孔；

于該第一介電層上與外露的該基板本體上形成第二介電層，該第二介電層未填滿該第一介電層盲孔，并于該第一介電層盲孔中構成空隙，且該第二介電層還延伸至該第一介電層盲孔的孔壁上；

蝕刻該第二介電層，以于該第二介電層中形成多個連通該第一介電層盲孔的介電層凹槽，并于各該第一介電層盲孔中的第二介電層中形成外露該基板本體的第二介電層盲孔，且該第一介電層的頂面上保留有該第二介電層，該第一介電層盲孔的孔壁上保留有該第二介電層；以及

于各該第二介電層盲孔中形成電性連接該基板本體的導電盲孔，并于該介電層凹槽中形成電性連接該導電盲孔的線路層，且該導電盲孔直接接觸該第一介電層盲孔的孔壁上的該第二介電層。

2.根據權利要求1所述的半導體基板的制法，其特征在于，于形成該第二介電層時，該第二介電層未填滿該第一介電層盲孔。

3.根據權利要求1所述的半導體基板的制法，其特征在于，該蝕刻還包括使該介電層凹槽延伸至部分該第一介電層中。

4.根據權利要求1所述的半導體基板的制法，其特征在于，形成該導電盲孔與線路層的方式包括：

于該第一介電層盲孔中、該介電層凹槽中與該第二介電層的頂面上電鍍形成金屬層；以及

移除高于該第二介電層的頂面上的金屬層，以由該形成于該第二介電層盲孔中的金屬層構成該導電盲孔，并由該形成于該介電層凹槽中的金屬層構成該線路層。

5.根據權利要求4所述的半導體基板的制法，其特征在于，移除高于該第二介電層的頂面上的金屬層的方式為化學機械研磨。

6.根據權利要求1所述的半導體基板的制法，其特征在于，形成該第一介電層與第二介電層的材質為氧化硅。

7.根據權利要求1所述的半導體基板的制法，其特征在于，形成該導電盲孔與線路層的材質為銅。

8.一種半導體基板，包括：

基板本體；

第一介電層，其形成于該基板本體上，且形成有多個外露該基板本體的第一介電層盲孔；

第二介電層，其形成于該第一介電層的頂面上與該第一介電層盲孔中，該第二介電層中形成有多個連通該第一介電層盲孔的介電層凹槽，于各該第一介電層盲孔中的第二介電層中并形成有外露該基板本體的第二介電層盲孔，且該第一介電層盲孔的孔壁上保留有該第二介電層；

多個導電盲孔，其形成于該第二介電層盲孔中，且電性連接該基板本體；以及

線路層，其形成于該介電層凹槽中，且電性連接該導電盲孔，且該第一介電層與設于其上的該第二介電層的厚度總和等于該介電層凹槽與該第一介電層盲孔的深度總和。

9.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，該介電層凹槽還延伸至部分該第一介電層中。

10.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，形成該第一介電層與第二介電層的材質為氧化硅。

11.根據權利要求8所述的半導體基板，其特征在于，形成該導電盲孔與線路層的材質為銅。