[發明專利]一種芯片引腳復用電路有效
| 申請號: | 201310750000.9 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103716034A | 公開(公告)日: | 2014-04-09 |
| 發明(設計)人: | 曾愛琴;袁政 | 申請(專利權)人: | 上海貝嶺股份有限公司 |
| 主分類號: | H03K19/0175 | 分類號: | H03K19/0175 |
| 代理公司: | 上海兆豐知識產權代理事務所(有限合伙) 31241 | 代理人: | 章蔚強 |
| 地址: | 200233 *** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 芯片 引腳 用電 | ||
技術領域
本發明涉及模擬集成電路,尤其涉及一種具備測試可選的芯片引腳復用電路。
背景技術
目前,集成電路芯片的測試通常在投片出來之后進行。由于芯片的高集成性、高復雜性,不僅需要測試芯片的輸出信號,還需要測試個別內部功能信號,所以芯片的可測性很重要。在傳統的測試中,通常在芯片內部增加測試PAD或者增加芯片的引腳,用于檢測內部功能信號的正確性。無論是芯片內部增加測試PAD,還是芯片外部增加引腳,都需要額外增加芯片面積,特別是在芯片固有面積小的情況下,更加增加了芯片成本。
隨著集成電路的發展,不僅要求集成電路芯片能夠具有可測性,還要求測試方案盡量節省芯片面積,以節約芯片成本,從而提高產品利潤,同時還要求能為投片出來的芯片進行調試及二次投片提供方便。這成為本申請人致力于研究的方向。
發明內容
本發明的目的在于針對集成電路芯片可測性設計的需求,提供一種具備測試可選的芯片引腳復用電路,具有結構簡單易集成、不需要外圍器件、有效降低芯片成本以及提高產品利潤的優點。
實現上述目的的技術方案是:
一種芯片引腳復用電路,外接芯片電路、第一引腳以及最少一個第二引腳;所述芯片電路包括連接第一引腳的第一輸入/輸出電路,以及對應每一個第二引腳的第二輸入/輸出電路和N個待測電路,N≥1且為自然數,所述引腳復用電路包括模式選擇電路、測試信號選擇電路和N+1選一開關電路,
針對一個第二引腳,
該第二引腳通過所述N+1選一開關電路的N+1路開關一一連接所述第二輸入/輸出電路和N個待測電路;
所述第一引腳施加電壓給所述模式選擇電路和測試信號選擇電路;
所述模式選擇電路根據被施加電壓輸出關斷使能信號,控制所述第一輸入/輸出電路和第二輸入/輸出電路工作的啟停,以及控制所述N+1選一開關電路將所述第二引腳與第二輸入/輸出電路接通或截斷;
所述測試信號選擇電路根據被施加電壓輸出N路邏輯信號,在同一時間控制所述N+1選一開關電路將所述第二引腳與某個待測電路接通,與其他N-1個待測電路截斷。
上述的芯片引腳復用電路,其中,所述N為2,待測電路為第一待測電路和第二待測電路;所述N+1選一開關電路為三選一開關電路,包括第一開關、第二開關和第三開關,其中:
所述第三開關連接所述第二引腳與第二輸入/輸出電路,其使能端接收所述模式選擇電路輸出的關斷使能信號;
所述第一開關連接所述第二引腳與第一待測電路,其使能端接收所述測試信號選擇電路輸出的第一邏輯信號;
所述第二開關連接所述第二引腳與第二待測電路,其使能端接收所述測試信號選擇電路輸出的第二邏輯信號。
上述的芯片引腳復用電路,其中,所述第三開關為常閉開關,接收高電平后斷開;所述第一開關和所述第二開關均為常開開關,接收高電平后閉合;所述第一輸入/輸出電路和第二輸入/輸出電路接收高電平后停止工作。
上述的芯片引腳復用電路,其中,
所述第一引腳施加小于預設的測試模式閾值的負電壓,所述模式選擇電路輸出的關斷使能信號變為高電平;
所述第一引腳施加命為第一測試選擇電壓的負電壓,所述測試信號選擇電路輸出的第一邏輯信號變為高電平,第二邏輯信號變為低電平;
所述第一引腳施加命為第二測試選擇電壓的負電壓,所述測試信號選擇電路輸出的第一邏輯信號變為低電平,第二邏輯信號變為高電平。
上述的芯片引腳復用電路,其中,
所述模式選擇電路包括第一NMOS管、提供鏡像用電流的第七PMOS管、鏡像所述電流并將鏡像電流輸出端與所述第一NMOS管漏極相連的第一PMOS管、鏡像所述電流并將鏡像電流輸出端與所述第一NMOS管柵極相連的第二PMOS管、電阻和三極管,其中:
所述電阻一端連接所述第一NMOS管的柵極,另一端連接所述三極管的發射極;
所述三極管的基極連接所述第一引腳,集電極連接所述第一NMOS管的源極并接地;
所述第一NMOS管的漏極輸出所述關斷使能信號;
所述測試信號選擇電路包括第二NMOS管、第三NMOS管、第四NMOS管、第五NMOS管、第六NMOS管、鏡像所述第七PMOS管所提供電流并將鏡像電流輸出端與所述第二NMOS管漏極相連的第三PMOS管、鏡像所述第七PMOS管所提供電流并將鏡像電流輸出端與所述第四NMOS管漏極相連的第四PMOS管、第五PMOS管、第六PMOS管、非門以及與門,其中:
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