[發(fā)明專利]一種準三維微、納米柱陣列的制作方法在審
| 申請?zhí)枺?/td> | 201310747737.5 | 申請日: | 2013-12-31 |
| 公開(公告)號: | CN103738913A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發(fā)明(設計)人: | 周建華;潘益;李萬博 | 申請(專利權)人: | 中山大學 |
| 主分類號: | B81C1/00 | 分類號: | B81C1/00 |
| 代理公司: | 廣州粵高專利商標代理有限公司 44102 | 代理人: | 任重 |
| 地址: | 510275 廣東*** | 國省代碼: | 廣東;44 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 一種 三維 納米 陣列 制作方法 | ||
1.一種準三維微米或納米柱陣列的制作方法,其特征在于,包括以下步驟:
S1.?制備準三維微、納米柱陣列的原始模板,
S2.?將彈性材料的預聚體涂于步驟S1所得的原始模板上,放入烘箱或熱壓機中加熱,冷卻,脫模后,得反相的微、納米坑陣列的彈性印章;
S3.?加入所需的材料,通過步驟S2所得的彈性印章為模板,充滿,固化,脫模后,制得準三維微、納米柱陣列。
2.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述的準三維微、納米柱陣列上包括底板和微、納米凸起,所述的微、納米凸起的上部的橫截面比根部的橫截面大。
3.根據權利要求2所述的制作方法,其特征在于,所述的準三維微、納米柱陣列為蘑菇狀陣列、抹刀狀頂端柱陣列或吸盤狀頂端柱陣列等。
4.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,步驟S1制備原始模板的方法為電子束刻蝕法、光刻技術或化學腐蝕法等。
5.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,步驟S3所述的常規(guī)方法為加熱-冷卻成型,具體步驟為:將彈性印章和一塊平整的熱塑性塑料貼緊,在它們的上下方均加一塊硬質玻璃,然后用夾子夾緊,置于烘箱中加熱,取出冷卻至室溫,脫模,即得。
6.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,步驟S3所述的常規(guī)方法為采用平板熱壓裝置熱壓成型。
7.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,步驟S3所述的常規(guī)方法為澆注成型,具體步驟為:可固化的材料澆注在彈性模板印章上,固化,脫模,即得。
8.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,步驟S3所述的常規(guī)方法為準三維微米或納米柱陣列,具體步驟為:在惰性硬質平整固體表面旋涂一層黏流態(tài)可固化的材料,然后將彈性印章壓到黏流態(tài)可固化的材料的表面,固化,脫模,即得。
9.根據權利要求1所述的制作方法,其特征在于,所述的彈性材料為具有彈性、能固化并且固化后能耐高溫的材料。
10.根據權利要求9所述的制作方法,其特征在于,所述的彈性材料為有機硅橡膠和記憶形狀合金。
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