[發明專利]晶圓級封裝方法有效
| 申請號: | 201310746188.X | 申請日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN103745934A | 公開(公告)日: | 2014-04-23 |
| 發明(設計)人: | 蔣珂瑋 | 申請(專利權)人: | 格科微電子(上海)有限公司 |
| 主分類號: | H01L21/50 | 分類號: | H01L21/50;G06F19/00 |
| 代理公司: | 北京戈程知識產權代理有限公司 11314 | 代理人: | 程偉;王剛 |
| 地址: | 201203 上海市*** | 國省代碼: | 上海;31 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 晶圓級 封裝 方法 | ||
1.一種晶圓級封裝方法,所述封裝方法包括:
A)提供分類為至少兩種類別的多個晶圓,每一類別的多個晶圓均具有包含至少一晶圓的多個樣品;
B)針對每個類別的樣品分別進行芯片探測測試,分別獲取樣品的晶圓圖;
C)結合晶圓圖,并比對預設的失效劃分閥值,區別顯示有效芯片單元和無效芯片單元;
D)對不同類別的樣品進行封裝前的組合匹配,獲取有效芯片單元結合的最優配對方式;
E)按照所述的最優配對方式對不同類別的晶圓進行晶圓級封裝。
2.根據權利要求1所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述的至少兩種類別為A、B……Φ,所述類別的數量為N,其中N≧2;
所述的A類別中樣品A1,A2,…,An對應的無效芯片單元數量為a1,a2,…,an,其中a1至an均為大于或者等于0的整數;所述的B類別中樣品B1,B2,…,Bn對應的無效芯片單元數量為b1,b2,…,bn,其中b1至bn均為大于或者等于0的整數。
3.根據權利要求1所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述步驟D)中,組合匹配后形成多個配對組,每個配對組的無效芯片單元數量分別為c1,c2,…,cn,其中,c1至cn均為大于或者等于0的整數,所述各配對組的配對封裝良率分別為Y1,Y2,…,Yn,每一個配對組的封裝良率Yn和總體封裝良率Ya由以下公式計算得出:
Yn=(Na-cn)/Na*100%;
Ya=(Y1+Y2+……+Yn)/n*100%;
其中,Na為每一個配對組中的封裝芯片數量,n為配對組的數量;
所述步驟D)的最優配對方式為:使得所述總體封裝良率Ya達到最大的配對方式。
4.根據權利要求1所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述步驟E)中,還包括:將所述類別中樣品針對另一類別中的樣品對應旋轉180度后,將所述一類別中的樣品的正面和另一類別中樣品正面進行粘合封裝。
5.根據權利要求1所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述步驟E)中,還包括:直接將所述一類別中的樣品的正面和另一類別中的樣品反面進行粘合封裝。
6.根據權利要求1所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述一類別中的樣品和另一類別中的樣品由至少一個晶圓組成。
7.根據權利要求1所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述失效劃分閥值中包括:將所述芯片劃分為兩個等級:失效芯片和未失效芯片。
8.根據權利要求7所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述失效劃分閾值能夠進一步包括:將所述失效芯片劃分成兩個等級:第一級的直流失效等級和第二級的功能失效等級。
9.根據權利要求8所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:所述步驟D)進一步包括:首先對第一級的直流失效等級進行步驟D)中的配對過程從而獲得第一級最優配對方式,再對第二級的功能失效等級進行步驟D)的配對過程從而獲得第二級最優配對方式。
10.根據權利要求9所述的晶圓級封裝方法,其特征在于:根據所述第一級最優配對方式按照步驟E)進行粘合封裝;根據所述第二級最優配對方式按照步驟E)進行粘合封裝。
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H01L 半導體器件;其他類目中不包括的電固體器件
H01L21-00 專門適用于制造或處理半導體或固體器件或其部件的方法或設備
H01L21-02 .半導體器件或其部件的制造或處理
H01L21-64 .非專門適用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各組的單個器件所使用的除半導體器件之外的固體器件或其部件的制造或處理
H01L21-66 .在制造或處理過程中的測試或測量
H01L21-67 .專門適用于在制造或處理過程中處理半導體或電固體器件的裝置;專門適合于在半導體或電固體器件或部件的制造或處理過程中處理晶片的裝置
H01L21-70 .由在一共用基片內或其上形成的多個固態組件或集成電路組成的器件或其部件的制造或處理;集成電路器件或其特殊部件的制造





