[發明專利]一種CSTBT的制造方法

無效

• 申請號: 201310745619.0
• 申請日: 2013-12-30
• 公開（公告）號: CN103715085A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 李澤宏;宋文龍;鄒有彪;宋洵奕;吳明進;張金平;任敏
• 申請（專利權）人: 電子科技大學
• 主分類號: H01L21/331
• 分類號: H01L21/331
• 代理公司: 成都宏順專利代理事務所(普通合伙) 51227
• 代理人: 李順德;王睿

1.一種CSTBT的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

a：采用P+單晶硅片，制備P+襯底（1）；

b：在P+襯底（1）上外延生長N型場截止區（2）；

c：在N型場截止區（2）上外延生長N-漂移區（3）；

d：在N-漂移區（3）上完成器件正面工藝，包括制造槽柵（5）MOS區和Pbody基區（8）；

e：進行硅片背面減薄；

f：在硅片背面進行H+的選擇性注入、低溫退火，在Pbody基區（8）與N-漂移區（3）之間形成N型CS層（15）；

g：背面金屬化。

2.一種CSTBT的制造方法，其特征在于，包括以下步驟：

a：采用N-漂移區（3）單晶硅片作為襯底材料；

b：在N-漂移區（3）上完成器件正面工藝，包括制造槽柵（5）MOS區和Pbody基區（8）；

c：進行硅片背面減??；

d：在硅片背面通過磷注入與推阱形成N型場截止區（2）；

e：在硅片背面通過硼注入和低溫退火形成P+區；

f：在硅片背面進行H+的選擇性注入、低溫退火，在Pbody基區（8）與N-漂移區（3）之間形成N型CS層（15）；

g：背面金屬化。

3.根據權利要求1或2所述的一種CSTBT的制造方法，其特征在于，步驟d的具體步驟為：

d1：在N-漂移區（3）上生長場氧化層（4）；

d2：在N-漂移區（3）上刻蝕有源區；

d3：通過反應離子刻蝕柵槽（5）；

d4：在柵槽（5）周圍生長柵氧化層（6）；

d5：在柵槽（5）中進行N+多晶硅淀積與刻蝕；

d6：在N-漂移區（3）上進行Pbody基區（8）的硼注入與推阱；

d7：在Pbody基區（8）中進行N+源區（9）的砷注入與推阱；

d8：在Pbody基區（8）上進行BPSG（10）的淀積與回流、接觸孔（11）的刻蝕；

d9：在Pbody基區（8）中進行P+接觸區（12）的硼注入與退火；

d10：正面金屬化，形成發射極（13）。

4.根據權利要求1或2所述的一種CSTBT的制造方法，其特征在于，步驟d的具體步驟為：

d1：在N-漂移區（3）上外延生長Pbody基區（8）；

d2：在Pbody基區（8）上生長場氧化層（4）；

d3：N-漂移區（3）上刻蝕有源區；

d4：通過反應離子刻蝕柵槽（5）；

d5：在柵槽（5）周圍生長柵氧化層（6）；

d6：在柵槽（5）中進行N+多晶硅淀積與刻蝕；

d7：在Pbody基區（8）中進行N+源區（9）的砷注入與推阱；

d8：在Pbody基區（8）上進行BPSG（10）的淀積與回流、接觸孔（11）的刻蝕；

d9：在Pbody基區（8）中進行P+接觸區（12）的硼注入與退火；

d10：正面金屬化，形成發射極（13）。