[發明專利]單火線接入的功率控制器有效
| 申請號: | 201310745515.X | 申請日: | 2013-12-30 |
| 公開(公告)號: | CN103683968A | 公開(公告)日: | 2014-03-26 |
| 發明(設計)人: | 李晨 | 申請(專利權)人: | 福建創高安防技術有限公司 |
| 主分類號: | H02M5/458 | 分類號: | H02M5/458 |
| 代理公司: | 福州市鼓樓區博深專利代理事務所(普通合伙) 35214 | 代理人: | 林志崢 |
| 地址: | 350015 福建省福州市馬*** | 國省代碼: | 福建;35 |
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| 摘要: | |||
| 搜索關鍵詞: | 火線 接入 功率 控制器 | ||
技術領域
本發明涉及功率控制設備,尤其涉及一種單火線接入的功率控制器。
背景技術
從人類發明電以來,就想盡辦法用各種方法,簡單方便的使用它。現有技術中的市電接線通常分為零線、火線和地線。接電時,一般采用零線和火線接入(居家用電)或者采用零線、火線和地線接入(工業用電)。大部分的控制器都是使用直流電,所以都需要一個交流轉直流電源電路,常用的有變壓器及開關電源二種。現有市售的暗盒電源開關都還是金屬觸點式的開關,因金屬易變形往往都有壽命問題,使用一段時間就失效,尤其是切換大功率電器時,金屬觸點式開關有火花出現,容易氧化生銹,影響開關正常的工作性能。
發明內容
本發明提出了一種單火線接入的功率控制器,主要解決的是現有技術中功率控制器需要多線接入且暗盒電源開關采用金屬觸點開關,切換時會出現火花,容易氧化生銹的問題。
為解決上述技術問題,本發明采用的一個技術方案是:提供一種單火線接入的功率控制器,包括電源電路模塊、開關模塊、信號輸入模塊、信號處理模塊及信號輸出模塊;所述電源電路模塊,包括單火線接口及整流單元;所述單火線接口與整流單元電連接,將輸入的交流電壓轉變成直流電壓;所述開關模塊與電源電路模塊電連接,根據接收信號處理模塊的控制信號向信號輸出模塊的提供啟動電壓,包括開關單元及與開關單元電連接的穩壓單元,所述開關單元根據接收的信號處理模塊生成的控制信號閉合或者斷開;所述穩壓單元在開關單元閉合時,提供輸出模塊的啟動電壓;信號輸入模塊與信號處理模塊電連接,用于預置高電平信號并向信號處理模塊輸送;所述信號處理模塊分別與開關模塊及信號輸出模塊電連接,用于接收高電平信號并生成輸出信號,將輸出信號輸送至信號輸出模塊;以及生成控制信號,將控制信號輸送至開關模塊;信號輸出模塊與開關模塊電連接,包括負載、通斷單元及輸出端口,所述負載及通斷單元分別與輸出端口電連接;所述通斷單元根據所述開關單元的通斷狀況閉合或斷開,以控制輸出端口輸出信號;所述輸出信號經負載輸送至輸出端口。
其中,所述開關單元具體包括第一雙向可控硅,所述穩壓單元具體包括第一穩壓管及第二穩壓管,所述第一雙向可控硅的控制極接第二穩壓管的負端,所述第二穩壓管的正端接第一穩壓管的正端,所述第一穩壓管的負端接電源電路模塊,所述第一雙向可控硅的第一陽極接信號輸出模塊,其第二陽極接電源電路模塊。
其中,還包括與輸入信號模塊電連接的輸入信號控制模塊,所述電源電路模塊中設有儲能單元,所述儲能單元為輸入信號控制模塊提供啟動電壓。
其中,所述儲能單元包括第一電阻、第一電容、第四電容及儲能控制芯片,所述第一電阻接儲能控制芯片的輸入端;所述第一電容的一端接第一電阻與儲能控制芯片連接的公共接點,其另一端接地;所述第四電容的正端接儲能控制芯片的輸出端,其負端接地。
其中,所述信號輸入模塊包括第一輸入單元、第二輸入單元及第三輸入單元,所述第一輸入單元包括第六電阻、第十一電容及第一三極管,所述第一三極管的基極通過串接的第六電阻及第十一電容接地,其集電極接信號處理模塊,其發射極接地;所述第二輸入單元包括第十電阻、第十二電容及第二三極管,所述第二三極管的基極通過串接的第十電阻及十二電容接地,其集電極接信號處理模塊,其發射極接地;所述第三輸入單元包括第十三電阻、第十三電容及第三三極管,所述第三三極管的基極通過串接的第十三電阻及第十三電容接地,其集電極接信號處理模塊,其發射極接地。
其中,所述第一三極管、第二三極管及第三三極管均為NPN型三極管。
其中,所述輸出信號模塊包括第一輸出單元、第二輸出單元及第三輸出單元,所述第一輸出單元包括第一負載、第一通斷單元及第一輸出端口,所述第一負載、第二通斷單元分別與第一輸出端口連接;所述第二輸出單元包括第二負載、第二通斷單元及第二輸出端口,所述第二負載、第二通斷單元分別與第二輸出端口連接;所述第三輸出單元包括第三負載、第三通斷單元、第三輸出端口,所述第三負載、第三通斷單元分別與第三輸出端口連接。
其中,所述第一通斷單元為第二雙向可控硅,第一負載為第二電阻;所述第二通斷單元為第三雙向可控硅,第二負載為第三電阻;所述第三通斷單元為第四雙向可控硅,第三負載為第九電阻。
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