[發(fā)明專利]半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置

無效

• 申請(qǐng)?zhí)枺?/td>: 201310740365.3
• 申請(qǐng)日: 2013-12-27
• 公開（公告）號(hào): CN104167373A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發(fā)明（設(shè)計(jì)）人: 三木研一;森野啟司
• 申請(qǐng)（專利權(quán)）人: 株式會(huì)社東芝
• 主分類號(hào): H01L21/66
• 分類號(hào): H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 中國國際貿(mào)易促進(jìn)委員會(huì)專利商標(biāo)事務(wù)所 11038
• 代理人: 張麗

（相關(guān)申請(qǐng)）

本申請(qǐng)享有以日本專利申請(qǐng)2013-105544號(hào)（申請(qǐng)日：2013年5月17日）為基礎(chǔ)申請(qǐng)的優(yōu)先權(quán)。本申請(qǐng)通過參照該基礎(chǔ)申請(qǐng)而包括基礎(chǔ)申請(qǐng)的所有內(nèi)容。

技術(shù)領(lǐng)域

本發(fā)明的實(shí)施方式涉及使探測(cè)器接觸到芯片來測(cè)定各種電氣特性的半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置。

背景技術(shù)

在晶片上形成有多個(gè)芯片，以往，在測(cè)定了晶片上的各個(gè)芯片的電氣特性之后，切割晶片而單片化為各個(gè)芯片。

如果在切割前的晶片的狀態(tài)下進(jìn)行了電氣的測(cè)定，則具有能夠使探測(cè)器正確地接觸到晶片內(nèi)的測(cè)定對(duì)象芯片上的規(guī)定部位而進(jìn)行測(cè)定的優(yōu)點(diǎn)，但在測(cè)定電氣特性之后進(jìn)行切割時(shí)，存在如下問題：由于切割時(shí)的損傷，產(chǎn)生新的缺陷，在晶片的狀態(tài)下為優(yōu)質(zhì)的芯片在切割之后有可能變?yōu)橛腥毕莸男酒?，從而無法檢測(cè)這樣的缺陷。

另外，如果為了降低芯片的接通電阻而減小晶片的厚度，則由于晶片的翹曲而容易引起搬送故障，而且在切割時(shí)還容易引起晶片的裂紋、缺口等障礙。

進(jìn)而，如果在晶片的狀態(tài)下進(jìn)行電氣的動(dòng)態(tài)特性試驗(yàn)，則存在被測(cè)定對(duì)象芯片的破壞造成的影響還波及到其他芯片，流過短路電流等而破壞其他芯片的危險(xiǎn)。

發(fā)明內(nèi)容

本實(shí)施方式提供能夠通過簡(jiǎn)易的手法正確地測(cè)定在晶片上形成的多個(gè)芯片的電氣特性的半導(dǎo)體檢查方法以及半導(dǎo)體檢查裝置。

在本實(shí)施方式的半導(dǎo)體檢查方法中，具備：在形成有多個(gè)芯片的晶片的背面?zhèn)日迟N絕緣薄片的工序，所述絕緣薄片具有與所述多個(gè)芯片的位置對(duì)應(yīng)地設(shè)置的多個(gè)孔；切割粘貼有所述絕緣薄片的所述晶片，在粘貼了所述絕緣薄片的狀態(tài)下單片化為所述多個(gè)芯片的工序；以及使探測(cè)器接觸到所述晶片上的多個(gè)芯片中的測(cè)定對(duì)象芯片的上表面的規(guī)定部位，并且使另一探測(cè)器通過所述絕緣薄片的對(duì)應(yīng)的孔而接觸到所述測(cè)定對(duì)象芯片的下表面，來測(cè)定所述測(cè)定對(duì)象芯片的電氣特性的工序。

附圖說明

圖1是示出晶片1的切割和檢查中使用的平面環(huán)2和切割薄片3的配置的圖。

圖2是示出將晶片1粘貼到切割薄片3的狀態(tài)的圖。

圖3是示出隔著平面環(huán)2粘貼晶片1和切割薄片3并切割了的狀態(tài)的立體圖。

圖4是從晶片1的水平面方向觀察到的圖。

圖5是示出一個(gè)實(shí)施方式的半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)10的概略結(jié)構(gòu)的框圖。

圖6是示出圖5的半導(dǎo)體檢查系統(tǒng)10的處理動(dòng)作的一個(gè)例子的流程圖。

圖7是示出晶片粘貼裝置11的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。

圖8是示出切割裝置12的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。

圖9是示出測(cè)定裝置13的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。

圖10是示出安裝裝置14的內(nèi)部結(jié)構(gòu)的一個(gè)例子的框圖。

圖11是示出使探測(cè)器5接觸到晶片1上的多個(gè)芯片4的例子的立體圖。

圖12是從水平方向觀察圖11的例子而看到的圖。

具體實(shí)施方式

以下，參照附圖，說明本發(fā)明的實(shí)施方式。

在本實(shí)施方式中，對(duì)形成有多個(gè)芯片的晶片進(jìn)行切割而單片化，之后進(jìn)行電氣特性的檢查。圖1是示出晶片1的切割和檢查中使用的平面環(huán)（平板狀環(huán)）2以及切割薄片（絕緣薄片）3的配置的圖。如圖所示，在平面環(huán)2的背面?zhèn)日迟N切割薄片3，將切割前的晶片1從平面環(huán)2的表面?zhèn)日迟N到切割薄片3。

平面環(huán)2是在中央部形成有開口部2a的平板，其內(nèi)徑大于晶片1的外徑，且小于切割薄片3的外徑。在平面環(huán)2的背面?zhèn)日迟N切割薄片3，根據(jù)需要切下比平面環(huán)2的外徑還向外側(cè)伸出的切割薄片3的部分。平面環(huán)2由例如不銹鋼等金屬材料形成。

切割薄片3的基材是例如樹脂。切割薄片3在樹脂基材的兩面附著了粘著材料或者紫外線硬化材料。

在切割薄片3中，與晶片1上的各芯片4的位置對(duì)應(yīng)地形成有孔3a。即，在切割薄片3中形成有晶片1上的芯片4的數(shù)量的多個(gè)孔3a。該孔3a具有能夠使測(cè)試器的探測(cè)器接觸到晶片1的背面的尺寸的直徑。

圖2是示出在平面環(huán)2上粘貼切割薄片3，并且隔著平面環(huán)2的開口部2a將晶片1粘貼到切割薄片3的狀態(tài)的圖。如圖所示，在平面環(huán)2的背面?zhèn)日迟N切割薄片3，所以切割薄片3從平面環(huán)2的中央部的開口部2a露出。將晶片1從上方粘貼到該露出部分。

如后所述，在本實(shí)施方式中，在隔著平面環(huán)2粘貼了晶片1和切割薄片3的狀態(tài)下，切割晶片1。但是，直至利用測(cè)試器的檢查結(jié)束，不進(jìn)行從晶片1按照芯片4單位的取出。