[發明專利]半導體檢查方法以及半導體檢查裝置

無效

• 申請號: 201310740365.3
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN104167373A
• 公開（公告）日: 2014-11-26
• 發明（設計）人: 三木研一;森野啟司
• 申請（專利權）人: 株式會社東芝
• 主分類號: H01L21/66
• 分類號: H01L21/66;H01L21/67
• 代理公司: 中國國際貿易促進委員會專利商標事務所 11038
• 代理人: 張麗

1.一種半導體檢查方法，其特征在于，具備：

在形成有多個芯片的晶片的背面側粘貼絕緣薄片的工序，所述絕緣薄片具有與所述多個芯片的位置對應地設置的多個孔；

切割粘貼有所述絕緣薄片的所述晶片，在粘貼了所述絕緣薄片的狀態下單片化為所述多個芯片的工序；以及

使探測器接觸到所述晶片上的多個芯片中的測定對象芯片的上表面的規定部位，并且使另一探測器通過所述絕緣薄片的對應的孔而接觸到所述測定對象芯片的下表面，測定所述測定對象芯片的電氣特性的工序。

2.根據權利要求1所述的半導體檢查方法，其特征在于，

在所述進行粘貼的工序中，以使所述多個孔在開口部內露出的方式將所述絕緣薄片粘貼到中央部具有所述開口部的平板狀環的背面，并且以使所述多個孔的每一個重疊到對應的所述芯片的方式將所述晶片從所述平板狀環的表面側粘貼到所述絕緣薄片，其中，所述開口部的直徑比所述晶片的外徑大。

3.根據權利要求1或者2所述的半導體檢查方法，其特征在于，

在所述進行測定的工序中，針對兩個以上的測定對象芯片的每一個，使分別對應的探測器接觸到各芯片的上表面的規定部位，并且使分別對應的探測器接觸到各芯片的下表面，來測定各芯片的電氣特性。

4.根據權利要求3所述的半導體檢查方法，其特征在于，

在所述進行測定的工序中，使分別對應的探測器接觸到所述兩個以上的測定對象芯片各自的上表面以及下表面，針對每個所述測定對象芯片測定不同的種類的電氣特性。

5.一種半導體檢查裝置，其特征在于，具備：

平板狀環，在中央部具有開口部，所述開口部的直徑比晶片的外徑大；

絕緣薄片，具有比所述開口部的直徑大的直徑，并且具有與在所述晶片中形成的多個芯片的位置對應地設置的多個孔；

支承部，以如下狀態支承所述平板狀環，即，以使所述多個孔在所述開口部內露出的方式將所述絕緣薄片粘貼到所述平板狀環的背面，并且以使所述多個孔的每一個重疊到對應的所述芯片的方式將所述晶片從所述平板狀環的表面側粘貼到所述絕緣薄片；

切割刀具，在用所述支承部支承了的狀態下，以不切斷所述絕緣薄片的方式切割所述晶片，單片化為所述多個芯片；以及

測定部，使探測器接觸到單片化了的所述多個芯片中的、測定對象芯片的上表面的規定部位，并且使另一探測器通過所述絕緣薄片的孔而接觸到所述測定對象芯片的下表面，測定所述測定對象芯片的電氣特性。