[發明專利]一種增強型器件的制造方法

在審

• 申請號: 201310738667.7
• 申請日: 2013-12-27
• 公開（公告）號: CN103715086A
• 公開（公告）日: 2014-04-09
• 發明（設計）人: 程凱
• 申請（專利權）人: 蘇州晶湛半導體有限公司
• 主分類號: H01L21/335
• 分類號: H01L21/335
• 代理公司: 北京集佳知識產權代理有限公司 11227
• 代理人: 常亮

1.一種增強型器件的制造方法，其特征在于，所述方法包括：

S1、提供一襯底；

S2、在所述襯底上沉積氮化物溝道層，所述氮化物溝道層上定義有柵極區、源極區和漏極區，所述氮化物溝道層的柵極區形成有至少一個非平面結構；

S3、在所述氮化物溝道層上沉積氮化物勢壘層，所述氮化物勢壘層形成有至少一個非平面結構，形成氮化物溝道層/氮化物勢壘層異質結，所述非平面結構處存在氮化物的非極性面或半極性面或其組合，氮化物溝道層/氮化物勢壘層異質結溝道中的二維電子氣至少部分形成中斷；

S4、在所述氮化物勢壘層上形成柵極、源極和漏極，柵極、源極和漏極分別位于氮化物溝道層上柵極區、源極區和漏極區的上方，所述柵極位于源極和漏極之間。

2.根據權利要求1所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1還包括：

在襯底中制作至少一個非平面結構。

3.根據權利要求1所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1還包括：

在所述襯底上沉積氮化物緩沖層，在氮化物緩沖層上制作至少一個非平面結構。

4.根據權利要求1～3中任一項所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述非平面結構包括凹槽、凸起和臺階。

5.根據權利要求4所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述凹槽的截面形狀包括矩形、三角形、梯形、鋸齒形、多邊形、半圓形、U形中的一種或多種的組合。

6.根據權利要求4所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述凸起的截面形狀包括矩形、三角形、梯形、鋸齒形、多邊形、半圓形、U形中的一種或多種的組合。

7.根據權利要求4所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述臺階的截面為垂直面、或斜坡面、或弧形面、或非規則形狀的面。

8.根據權利要求1～3中任一項所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S1還包括：在襯底上沉積氮化物成核層。

9.根據權利要求1～3中任一項所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S3后還包括：在氮化物勢壘層上沉積介質層。

10.根據權利要求9所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述介質層為SiN、SiCN、SiO₂、SiAlN、Al₂O₃、AlON、SiON、HfO₂、HfAlO中的一種或多種的組合。

11.根據權利要求1～3中任一項所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S3后還包括：在氮化物勢壘層上沉積氮化物冒層，所述氮化物冒層為氮化鎵或鋁鎵氮。

12.根據權利要求1～3中任一項所述的增強型器件的制造方法，其特征在于，所述步驟S2后還包括：在氮化物溝道層上沉積氮化鋁中間層。